Amplificador operacional IC IC Chips Small Scale Dual Low do ruído eletrônico de NE5532P
Microplaquetas eletrônicas de NE5532P IC
,Microplaquetas eletrônicas de NE5532P IC
,Amplificador operacional de baixo nível de ruído IC
Os componentes da eletrônica de NE5532P lascam a eletrônica de IC
AMPLIFICADORES OPERACIONAIS DE BAIXO NÍVEL DE RUÍDO DUPLOS
Uma parte da lista conservada em estoque
| C.I MM74HC164MX | FSC | P0552AD/P9FAD | SOP-14 |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
| RES 2010 330R 5% CRCW2010330RJNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
| RES 2010 68K 5% CRCW201068K0JNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
| C.I MCP6S26-I/SL | MICROCHIP | 16255C4 | SOP-14 |
| ACOPLADOR. PC817A | AFIADO | 2016.08.10/H33 | DIP-4 |
| TRANSPORTE 2SS52M | Honeywell | 2SSM/523-LF | TO-92 |
| C.I SCC2691AC1D24 | 1149+ | SOP-24 | |
| C.I TP3057WM | SI | XM33AF | SOP-16 |
| C.I CD14538BE | SI | 33ADS8K | DIP-16 |
| C.I CL2N8-G | MICROCHIP | CL2C | SOT-89 |
| C.I SN75179BP | SI | 57C50DM | DIP-8 |
| C.I L6219DS | ST | 135 | SOP-24 |
| TAMPÃO 1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD1210 |
| INDUTOR 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF | TDK | YA16H0945122/3R3 | SMD6045 |
| TAMPÃO ELCO SMD 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR | BANDEJA | Y1628F843536/2.2/50V/SYK | SMD4*5.4 |
| C.I 24LC256-I/SN | MICROCHIP | 1636M6G | SOP-8 |
| TAMPÃO ELCO SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS | NICHICON | 160602/150/25V/H72 | SMD8*10.5 |
| RES RC0805JR-0727RL | YAGEO | 1538 | SMD0805 |
| C.I SN75240PW | SI | 11/A75240 | MSOP-8 |
| RES RC0805JR-0715KL | YAGEO | 1637 | SMD0805 |
| TAMPÃO CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-T | TAIYOYUDEN | 1608 | SMD0805 |
| TAMPÃO CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD0805 |
| RES 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L 1% | YAGEO | 1638 | SMD0805 |
| CASO 0805RC0805JR-073K3L do RES 3K3 5% | YAGEO | 1623 | SMD0805 |
| TRIAC BTA26-600BRG | ST | 628 | TO-3P |
| TAMPÃO 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | TDK | IB16F15763SD | SMD0805 |
CARACTERÍSTICAS
Tipo entrado equivalente da tensão 5 nV/√Hz do ruído em 1 quilohertz?
Largura de banda do Unidade-ganho… 10 megahertz de tipo?
Tipo do DB 100 da relação de rejeção do Comum-modo…
? Ganho alto da tensão de C.C.… tipo de 100 V/mV?
Tipo do balanço 32 V da tensão da saída do Pico-à-pico
Com VCC± = ±18 V e RL = Ω 600
? Taxa de pântano alta… tipo de 9 V/µs?
Escala larga… ±3 V da Fonte-tensão a ±20 V
DESCRIÇÃO GERAL
As famílias de K6X8008C2B são fabricadas por SAMSUNG¢s avançaram a tecnologia de processamento completa do CMOS. As famílias apoiam a vária variação da temperatura de funcionamento para a flexibilidade do usuário do projeto de sistema. As famílias igualmente apoiam a baixa tensão da retenção dos dados para a operação de apoio da bateria com a baixa retenção dos dados atual.
Avaliações máximas absolutas
Tensão de fonte (para ver a nota 1): VCC+……………………… 22 V
Tensão entrada, ou entrada (para ver as notas 1 e 2) VCC±…. -22V
Atual entrado (veja a nota 3)……………………. ±10 miliampère
A duração da saída procura um caminho mais curto (veja a nota 4) a impedância térmica…………… do pacote ilimitado,
θJA (veja as notas 5 e 6): Pacote 97 de D………………………. °C/W
Pacote 85 de P………………………. °C/W PICOSEGUNDO
pacote 95……………………… °C/W
Temperatura de junção virtual de funcionamento, TJ 150°C
Variação da temperatura do armazenamento, °C de Tstg −65 a 150°C