Semi ON / Semi Catalisador
| Imagem | parte # | Descrição | fabricante | Conservado em estoque | RFQ | |
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Tubo NPT TO-264 da máquina de soldadura único IGBT de FGL40N120ANDTU 40A 1200V |
IGBT NPT 1200 V 64 A 500 W através do furo TO-264-3
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Trincheira IGBT 25A 1200V de FGA25N120ANTD TO-3P NPT |
IGBT NPT e trincheira 1200 V 50 A 312 W através do furo TO-3P
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Reguladores de tensão de MMSZ5245BT1G 500mW SOD123 Zener |
Montagem de superfície SOD-123 do diodo 15 V 500 mW ±5% de Zener
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Supressores transientes da tensão de SMBJ18A DO-214AA SMBJ Transzorb |
Diodo das tevês da IPP da braçadeira
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Montagem de superfície do diodo 225mW SOT−23 dos reguladores de tensão de BZX84C12LT1G Zener |
Montagem de superfície SOT-23-3 do diodo 12 V 250 mW ±5% de Zener (TO-236)
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Retificadores Ultrafast 100−600V do poder do modo 16A do interruptor de MUR1620CTG |
Disposição do diodo cátodo comum 200 V 8A de 1 par através do furo TO-220-3
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Transistor bipolares TO-3P de NJW0281G 50W NPN PNP |
Transistor bipolar (BJT) NPN 250 V 15 A 30 MHz 150 W Orifício de passagem TO-3P-3L
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Anti Hyperfast diodo paralelo 43A 1200V de HGTG11N120CND NPT GBT |
IGBT NPT 1200 V 43 A 298 W através do furo TO-247-3
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Controladores rápidos IC MC33340P da bateria da carga 4.0mV 18V DIP8 |
Multi-química 8-PDIP de IC do carregador
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MT9D131C12STC-DP NOVO E ORIGINAL |
CMOS com Processador Sensor de Imagem 1600H x 1200V 2.8μm x 2.8μm 48-CLCC (14.22x14.22)
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AR0330CS1C12SPKA0-CP IC de memória flash NOVO E ORIGINAL |
Sensor de imagem CMOS 2304H x 1536V 2,2 μm x 2,2 μm 64-CSP (6.28x6.65)
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BAT54HT1G Chipe de circuito integrado eletrônico NOVO E ORIGINAL |
Montagem de superfície SOD-323 do diodo 30 V 200mA
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BAT54SLT1G Chip de circuito integrado eletrônico NOVO E ORIGINAL |
Disposição do diodo montagem TO-236-3 da superfície da conexão de série 30 V de 1 par 200mA (C.C.),
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BAT54A Chipe de circuito integrado eletrônico NOVO E ORIGINAL |
Disposição do diodo montagem de superfície comum TO-236-3 do ânodo 30 V 200mA de 1 par, SC-59, SOT-2
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CAT24C08WI-GT3 IC de memória flash NOVO E ORIGINAL |
² C 400 quilohertz 900 ns 8-SOIC de IC 8Kbit I da memória de EEPROM
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IC de memória flash CAT25040P NOVO E ORIGINAL |
IC de memória EEPROM 4Kbit SPI 8-PDIP
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MC14551BCPG Chips de circuito integrado eletrônico Quad 2-Channel Analog Multiplexer |
4 Interruptores de circuito integrado 2:1 280 Ohms 16-PDIP
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TIL117M Componentes Eletrônicos Chip de circuito integrado Memória de programação |
Transistor de optoisolador com saída de base 7500Vpk 1 canal 6-DIP
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Fototransistor de duplo canal de MOCD213M 2500Vrms SOIC8 |
Canal 8-SOIC da saída 2500Vrms 2 do transistor do Optoisolator
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Circuito de detecção IC do Undervoltage do MERGULHO TO92 10mA MC34064P-5RAG |
Dreno aberto do supervisor ou canal aberto TO-92 do coletor 1 (TO-226)
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Transistor do silicone do poder médio 0.5A 300V 20W NPN de MJE340G |
Transistor (BJT) bipolar NPN 300 V 500 miliampère 20 W através do furo TO-126
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Retificadores Ultrafast do poder da montagem de superfície de IC da gestão do poder de MURS260T3G |
Montagem de superfície SMB do diodo 600 V 2A
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Amplificadores operacionais duplos da única fonte de IC da gestão do poder de LM358DR2G |
Amplificador de Uso Geral 2 Circuito 8-SOIC
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Eliminação do laço à terra de IC Chip Logic Gate Optocouplers For do computador de HCPL0600R2 10bps |
Canal aberto 5kV/µs CMTI 8-SOIC do coletor 3750Vrms 1 do Optoisolator 10Mbps da saída da lógica
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Positivo do regulador de interruptor do impulso de MC34063ADR2G/1.25V ajustável negativo |
Fanfarrão, regulador de interruptor saída 1.25V 1 1.5A ajustável positiva ou negativa de IC do impul
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diodo MM3Z18VT1G dos reguladores de tensão de 200mW 18V SOD−323 Zener |
Montagem de superfície SOD-323 do diodo 18 V 300 mW ±6% de Zener
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Do acoplador ótico de alta velocidade Opto de IC 15MBd do isolador da saída da lógica 74OL6011 coletor aberto |
O coletor aberto do Optoisolator 15MBd da saída da lógica, Schottky apertou 5300Vrms 1 o canal 5kV/µ
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Circuito integrado Chip Schottky Clamped 5kV/µS CMTI 6-DIP de 74OL6010 5300Vrms |
O coletor aberto do Optoisolator 15MBd da saída da lógica, Schottky apertou 5300Vrms 1 o canal 5kV/µ
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Controladores de Chip High Performance Current Modded do circuito integrado de UC3845BD1R2G |
Impulso, positivo do regulador do Flyback, saída capaz elevadora, controlador elevador/abaixador IC
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Diodo rectificador tipo ponte 1N4007 50 a 1000 volts 1,0 Ampère |
Diodo 1000 V 1A através do furo DO-41
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Diodos Zener de vidro de silício passivado de 1,0 Watt Diodos Zener de vidro de junção passivada Diodo Zener de silício 1n4733A |
Diodo 5,1 V 1 W ±5% de Zener através do furo DO-41
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NDT456P Diodo retificador de modo de aumento de canal P Transistor de efeito de campo |
P-Canal 30 V 7.5A (Ta) 3W (Ta) Montador de superfície SOT-223-4
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TIP127 ACERCA NOVA E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W através do furo TO-220
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IC de memória flash FMS6141S5X NOVO E ORIGINAL |
Pacote de controlador de vídeo IC SC-70-5
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FOD2742B IC de memória flash NOVO E ORIGINAL |
Canal 8-SOIC da saída 2500Vrms 1 do transistor do Optoisolator
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FSUSB30MUX IC de memória flash NOVO E ORIGINAL |
Interruptor IC de USB 1 canal 10-MSOP
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IC de memória flash CAT25040P NOVO E ORIGINAL |
IC de memória EEPROM 4Kbit SPI 8-PDIP
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CAT25040S-TE13 IC de memória flash NOVO E ORIGINAL |
Memória IC 4Kbit SPI de EEPROM 10 megahertz 40 ns 8-SOIC
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CAT25C08VI IC de memória flash NOVO E ORIGINAL |
Memória IC 8Kbit SPI de EEPROM 10 megahertz 8-SOIC
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IC de memória flash CAT25010YI-GT3 NOVO E ORIGINAL |
Memória IC 1Kbit SPI 8-TSSOP de EEPROM
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BAV102 Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Montagem de superfície SOD-80 do diodo 150 V 200mA
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Transistor de Efeito de Campo BAV20 NOVO E ORIGINAL |
Diodo 200 V 200mA através do furo DO-35
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Transistor de Efeito de Campo BAV21 NOVO E ORIGINAL |
Diodo 250 V 200mA através do furo DO-35
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BCP56 ACERCA NOVA E ORIGINAL |
Montagem de superfície bipolar SOT-223-4 do transistor (BJT) NPN 80 V 1,2 A 1 W
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BCP69 ACERCA NOVA E ORIGINAL |
Montagem de superfície bipolar SOT-223-4 do transistor (BJT) PNP 20 V 1,5 A 1 W
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Diodo de chip BCP56T1G IC de chip ON Novo TRANS original NPN 80V 1A SOT223 |
Transistor (BJT) bipolar NPN 80 V 1 uma montagem de superfície SOT-223 de 130MHz 1,5 W (TO-261)
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MJD127T4G NOVO E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar PNP - Darlington 100 V 8 uma montagem 1,75 de superfície de 4MHz W DPAK
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL do transistor de efeito de campo KSC2073 |
Transistor (BJT) bipolar NPN 150 V 1,5 um 4MHz 25 W através do furo TO-220-3
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BAV23CLT1G Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Matriz de diodo 1 par cátodo comum 250 V 400mA montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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BCP54 ACERCA NOVA E ORIGINAL |
Montagem de superfície bipolar SOT-223-4 do transistor (BJT) NPN 45 V 1,5 A 1,5 W
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