Do supressor transiente da tensão das tevês de SM6T15CAY montagem de superfície
fabricante:
STMicroelectronics
Descrição:
27.2V montagem de superfície SMB do diodo das tevês da IPP da braçadeira 147A (8/20µs) (DO-214AA)
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
To be negotiated
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
PN:
SM6T15CA
Tipo:
ST
Original:
EUA
Tipo:
Supressor transiente da tensão
Poder:
600Watts
Montando a maneira:
Montagem de superfície
pacote:
SMB DO-214AA
Escala da tensão:
6.8v a 220 V.
Destaque:
600W TVS Transient Voltage Suppressor
,SM6T15CA Voltage Suppressor
,6.8v Surface Mount Voltage Suppressor
Introdução
SM6T15CASupressor de tensão transitória de TVS de 600 watts montado na superfície
Características
■ Potência máxima de pulso: 600 W (10/1000 μs)
■ Faixa de tensão de ruptura: de 6,8 V a 220 V.
■ Tipos uni e bidireccionais
■ Factor de fixação baixo
■ Tempo de resposta rápido
■ Reconhecer
Descrição
Os diodos transil fornecem proteção contra sobrevoltagem por meio da ação de aperto.
A sua resposta instantânea a sobrevoltagens transitórias torna-os particularmente
adequados para proteger dispositivos sensíveis à tensão, como a tecnologia MOS e os ICs alimentados a baixa tensão.
PRODUTOS RELACIONADOS
Tensão de saturação material do coletor do silicone dos transistor de 2SD1899 NPN PNP baixa
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 10 A 50 W Through Hole TO-220
Tevês transientes 5000W da proteção contra sobrecarga da tensão de BZW50-39BRL 180V Transil
90V Clamp 667A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Through Hole R-6
Proteção contra sobrecarga transiente DO-15 da tensão de P6KE440ARL 15kV 600W
776V Clamp 5.2A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Through Hole DO-15 (DO-204AC)
Transistor 60V 10A 50W de D45H8 NPN PNP através do furo ao elevado desempenho 220AB
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 10 A 50 W Through Hole TO-220
Agrupamento atual bipolar do poder 65W HFE dos transistor 100V 6A de TIP42C NPN PNP
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 6 A 65 W Through Hole TO-220
2N7002 Diodo de chip NOVO E ORIGINAL
N-Channel 60 V 200mA (Tc) 350mW (Tc) Surface Mount SOT-23-3
BCP52-16 ACERCA NOVA E ORIGINAL
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 1 A 50MHz 1.4 W Surface Mount SOT-223
STW45NM60 NOVO E ORIGINAL
N-Channel 650 V 45A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247-3
STP110N8F6 EXPÓRIO NOVO E ORIGINAL
N-Channel 80 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220
STP110N7F6 ESTOQUE NOVO E ORIGINAL
N-Channel 68 V 110A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-220
| Imagem | parte # | Descrição | |
|---|---|---|---|
|
|
Tensão de saturação material do coletor do silicone dos transistor de 2SD1899 NPN PNP baixa |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 10 A 50 W Through Hole TO-220
|
|
|
|
Tevês transientes 5000W da proteção contra sobrecarga da tensão de BZW50-39BRL 180V Transil |
90V Clamp 667A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Through Hole R-6
|
|
|
|
Proteção contra sobrecarga transiente DO-15 da tensão de P6KE440ARL 15kV 600W |
776V Clamp 5.2A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Through Hole DO-15 (DO-204AC)
|
|
|
|
Transistor 60V 10A 50W de D45H8 NPN PNP através do furo ao elevado desempenho 220AB |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 10 A 50 W Through Hole TO-220
|
|
|
|
Agrupamento atual bipolar do poder 65W HFE dos transistor 100V 6A de TIP42C NPN PNP |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 6 A 65 W Through Hole TO-220
|
|
|
|
2N7002 Diodo de chip NOVO E ORIGINAL |
N-Channel 60 V 200mA (Tc) 350mW (Tc) Surface Mount SOT-23-3
|
|
|
|
BCP52-16 ACERCA NOVA E ORIGINAL |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 1 A 50MHz 1.4 W Surface Mount SOT-223
|
|
|
|
STW45NM60 NOVO E ORIGINAL |
N-Channel 650 V 45A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247-3
|
|
|
|
STP110N8F6 EXPÓRIO NOVO E ORIGINAL |
N-Channel 80 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220
|
|
|
|
STP110N7F6 ESTOQUE NOVO E ORIGINAL |
N-Channel 68 V 110A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-220
|
Envie o RFQ
Conservado em estoque:
MOQ:
10pcs