Tensão de saturação material do coletor do silicone dos transistor de 2SD1899 NPN PNP baixa
fabricante:
STMicroelectronics
Descrição:
Transistor (BJT) bipolar PNP 60 V 10 A 50 W através do furo TO-220
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiation
Método do pagamento:
T/T, Western Union, COMPROMISSO
Especificações
Corrente de coletor (C.C.):
3A
Tensão da Coletor-base:
60 V
tensão do Coletor-emissor:
60 V
tensão da Emissor-base:
7V
Frequência:
120MHz
Dispersão do Poder:
2w
Polaridade do transistor:
NPN
Escala de funcionamento do Temp:
-55C a 150C
Destaque:
epitaxial planar pnp transistor
,silicon npn power transistors
Introdução
2SD1899 NPN PNP Transistores NPN de Potência de Silício
Descrição
·Baixa tensão de saturação do colector
·100% testado em avalanche
·Variações mínimas de lote para lote para um desempenho robusto do dispositivo e uma operação fiável
Aplicações
·Aplicações de alta frequência de transição
Especificações
Categoria: BJT - Finalidade geral
Fabricante: RENESAS TECHNOLOGY
Corrente do colector (DC): 3 ((A)
Voltagem de base do colector: 60 V
Voltagem colector-emissor: 60 ((V)
Voltagem de base do emissor: 7 ((V)
Frequência: 120 (MHz)
Dissipação de energia: 2 ((W)
Instalação: Instalação na superfície
Intervalo de temperatura de funcionamento: -55 oC a 150 oC
Tipo de embalagem: TO-252
Número de pinos: 2 + Tab
Número de elementos: 1
Classificação de temperatura de funcionamento: Militar
Categoria: Potência bipolar
Rad endurecido: Não
Polaridade do transistor: NPN
Potência de saída: Não é necessária ((W)
Configuração: Único
Ganhos de corrente contínua: 60@0,2A@2V/50@2A@2V
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