Transistor 60V 10A 50W de D45H8 NPN PNP através do furo ao elevado desempenho 220AB
fabricante:
STMicroelectronics
Descrição:
Transistor (BJT) bipolar PNP 60 V 10 A 50 W através do furo TO-220
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiation
Método do pagamento:
T/T, Western Union, COMPROMISSO
Especificações
Categorias:
Transistor - bipolares (BJT) - únicos
Tipo do transistor:
PNP
Atual - coletor (CI) (máximo):
10A
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima):
60V
Saturação de Vce (máxima) @ Ib, CI:
1V @ 400mA, 8A
Atual - interrupção do coletor (máxima):
10µA
Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce:
40 @ 4A, 1V
Poder - máximo:
50W
Destaque:
resistor equipped transistor
,epitaxial planar pnp transistor
Introdução
D45H8 NPN PNP Transistores Bipolares (BJT) Transistor PNP 60V 10A 50W através do buraco TO-220AB
Transistores de potência complementares
Características
■ Baixa tensão de saturação colector-emissor
■ Velocidade de comutação rápida
Aplicações
■ Amplificador de potência
■ Circuitos de comutação
Descrição
Os aparelhos são fabricados em tecnologia planar multi-epitaxial de baixa tensão e destinam-se a aplicações lineares e de comutação de uso geral.
| Atributos do produto | Selecione Todos |
| Categoria | Produtos de semicondutores discretos |
| Transistores - Bipolares (BJT) - Únicos | |
| Fabricante | STMicroelectrónica |
| Série | - |
| Embalagem | Tubos |
| Estatuto da parte | Obsoletos |
| Tipo de transistor | PNP |
| Corrente - colector (Ic) (máximo) | 10A |
| Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo) | 60 V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A |
| Corrente - limite do colector (máximo) | 10 μA |
| Aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce | 40 @ 4A, 1V |
| Potência - Máximo | 50 W |
| Frequência - Transição | - |
| Temperatura de funcionamento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Através do Buraco |
| Embalagem / Caixa | TO-220-3 |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-220AB |
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