Diodo rectificador tipo ponte 1N4007 50 a 1000 volts 1,0 Ampère
bridge rectifier circuit
,signal schottky diode
Diodo rectificador tipo ponte 1N4007 50 a 1000 volts 1,0 Ampère
Características
Construção de camada baixa
Baixa queda de tensão para a frente
Baixo vazamento reversoCapacidade de corrente de sobretensão para a frente
A solda a altas temperaturas é garantida:
260°C/10 segundos/.375 ′′ (9,5 mm) de chumbo leCM GROUPh a 5 lbs (2,3 kg) tensão
DADOS MECÂNICOS
Caso: Plástico de moldagem de transferência
poxy: retardador de chama UL94V-O
Polaridade: a faixa de cor denota a extremidade do cátodo
Chumbo: Chumbo axial revestido, soldável de acordo com o método MIL-STD-202E 208C
Posição de montagem: Qualquer
Peso: 0,012 onças, 0,33 gramas
Classificações máximas e características eléctricas
· Nomenclatura a temperatura ambiente de 25 oC, salvo indicação em contrário · Fase única, meia onda, 60 Hz, carga resistiva ou indutiva · Para carga capacitiva, taxa de corrente de 20%
| Tensão máxima RMS | SÍMBOLOS | 1N4001 | 1N4002 | 1N4003 | 1N4004 | 1N4005 | 1N4006 | 1N4007 | UNIT |
| Tensão de bloqueio de corrente contínua máxima |
Vrm |
50 | 100 | 200 |
400 |
600 | 800 | 1000 | V |
| Corrente rectificada média máxima para a frente 0,375 ̊ (9,5 mm) de chumbo leCM GROUPh a TA= 25°C | VRS | 35 | 70 | 140 | 280 | 420 | 560 | 700 | V |
| Corrente de onda de picos para a frente 8,3 mS de onda sinusoidal única sobreposta à carga nominal (método JEDEC) | VDC | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 100 | V |
| Voltagem máxima instantânea para a frente @ 1,0A | (Av) | 1.0 | A | ||||||
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Reverso de CC máximoTA = 25°C Corrente nominal Bloqueio de CCTA=100VVoltagem por elemento |
Ifsm | 5.0 | μA | ||||||
| Vf | 50 | μA | |||||||
| Corrente reversa máxima de carga total, média do ciclo completo 0,375 ⋅ 9,5 mm, leCM GROUPh de chumbo a TL=75°C | Não. | 30 | μA | ||||||
| Capacidade típica de junção (nota 1) | Cj | 13 | μA | ||||||
| Resistência térmica típica (nota 2) | RθJA | 50 | °C /w | ||||||
| Intervalo de temperatura do cruzamento de funcionamento | Tj | -55 a +150 | °C | ||||||
| Intervalo de temperatura de armazenamento | TGST | -55 a +150 | °C | ||||||
Notas:
1Medido a 1,0 MHz e tensão inversa aplicada de 4,0 V CC.
2. Resistência térmica da junção para o terminal 6.0mm2 almofadas de cobre para cada terminal.
3O tamanho do chip é de 40 milímetros por 40 milímetros.
MT9D131C12STC-DP NOVO E ORIGINAL
AR0330CS1C12SPKA0-CP IC de memória flash NOVO E ORIGINAL
BAT54HT1G Chipe de circuito integrado eletrônico NOVO E ORIGINAL
BAT54SLT1G Chip de circuito integrado eletrônico NOVO E ORIGINAL
BAT54A Chipe de circuito integrado eletrônico NOVO E ORIGINAL
TIL117M Componentes Eletrônicos Chip de circuito integrado Memória de programação
Diodos Zener de vidro de silício passivado de 1,0 Watt Diodos Zener de vidro de junção passivada Diodo Zener de silício 1n4733A
NDT456P Diodo retificador de modo de aumento de canal P Transistor de efeito de campo
TIP127 ACERCA NOVA E ORIGINAL
| Imagem | parte # | Descrição | |
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MT9D131C12STC-DP NOVO E ORIGINAL |
CMOS with Processor Image Sensor 1600H x 1200V 2.8µm x 2.8µm 48-CLCC (14.22x14.22)
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AR0330CS1C12SPKA0-CP IC de memória flash NOVO E ORIGINAL |
CMOS Image Sensor 2304H x 1536V 2.2µm x 2.2µm 64-CSP (6.28x6.65)
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BAT54HT1G Chipe de circuito integrado eletrônico NOVO E ORIGINAL |
Diode 30 V 200mA Surface Mount SOD-323
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BAT54SLT1G Chip de circuito integrado eletrônico NOVO E ORIGINAL |
Diode Array 1 Pair Series Connection 30 V 200mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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BAT54A Chipe de circuito integrado eletrônico NOVO E ORIGINAL |
Diode Array 1 Pair Common Anode 30 V 200mA Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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TIL117M Componentes Eletrônicos Chip de circuito integrado Memória de programação |
Optoisolator Transistor with Base Output 7500Vpk 1 Channel 6-DIP
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Diodos Zener de vidro de silício passivado de 1,0 Watt Diodos Zener de vidro de junção passivada Diodo Zener de silício 1n4733A |
Zener Diode 5.1 V 1 W ±5% Through Hole DO-41
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NDT456P Diodo retificador de modo de aumento de canal P Transistor de efeito de campo |
P-Channel 30 V 7.5A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
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TIP127 ACERCA NOVA E ORIGINAL |
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W Through Hole TO-220
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