NDT456P Diodo retificador de modo de aumento de canal P Transistor de efeito de campo
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
NDT456P Transistor de Efeito de Campo de Modo de Reforço de Canal P
Características
* -7,5 A, -30 V. RDS ((ON) = 0,030 W @ VGS = -10 V RDS ((ON) = 0,045 W @ VGS = -4,5 V
* Projeto de célula de alta densidade para RDS extremamente baixo ((ON)
* Alta potência e capacidade de manuseio de corrente num pacote de montagem de superfície amplamente utilizado.
Descrição geral
Os transistores de efeito de campo de potência do modo de aprimoramento do canal SOT são produzidos usando a tecnologia DMOS, de alta densidade de célula proprietária da Fairchild.Este processo de alta densidade é especialmente adaptado para minimizar a resistência em estado e fornecer desempenho de comutação superiorEstes dispositivos são particularmente adequados para aplicações de baixa tensão, tais como gestão de energia de computadores portáteis, circuitos alimentados por bateria e controlo de motores de CC.
Símbolo | Parâmetro | NDT456P | Unidades |
VDSS | Voltagem da fonte de drenagem | - Trinta | V |
VGSS | Voltagem da fonte da porta | ± 20 | V |
TJ, TSTG | Intervalo de temperatura de funcionamento e de armazenamento | 65 a 150 | °C |
RqJA | Resistência térmica, junção com o ambiente (nota 1a) | 42 | °C/W |
RqJC | Resistência térmica, junção com o invólucro (nota 1) | 12 | °C/W |
MT9D131C12STC-DP NOVO E ORIGINAL
AR0330CS1C12SPKA0-CP IC de memória flash NOVO E ORIGINAL
BAT54HT1G Chipe de circuito integrado eletrônico NOVO E ORIGINAL
BAT54SLT1G Chip de circuito integrado eletrônico NOVO E ORIGINAL
BAT54A Chipe de circuito integrado eletrônico NOVO E ORIGINAL
TIL117M Componentes Eletrônicos Chip de circuito integrado Memória de programação
Diodo rectificador tipo ponte 1N4007 50 a 1000 volts 1,0 Ampère
Diodos Zener de vidro de silício passivado de 1,0 Watt Diodos Zener de vidro de junção passivada Diodo Zener de silício 1n4733A
TIP127 ACERCA NOVA E ORIGINAL
Imagem | parte # | Descrição | |
---|---|---|---|
MT9D131C12STC-DP NOVO E ORIGINAL |
CMOS with Processor Image Sensor 1600H x 1200V 2.8µm x 2.8µm 48-CLCC (14.22x14.22)
|
||
AR0330CS1C12SPKA0-CP IC de memória flash NOVO E ORIGINAL |
CMOS Image Sensor 2304H x 1536V 2.2µm x 2.2µm 64-CSP (6.28x6.65)
|
||
BAT54HT1G Chipe de circuito integrado eletrônico NOVO E ORIGINAL |
Diode 30 V 200mA Surface Mount SOD-323
|
||
BAT54SLT1G Chip de circuito integrado eletrônico NOVO E ORIGINAL |
Diode Array 1 Pair Series Connection 30 V 200mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
|
||
BAT54A Chipe de circuito integrado eletrônico NOVO E ORIGINAL |
Diode Array 1 Pair Common Anode 30 V 200mA Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
|
||
TIL117M Componentes Eletrônicos Chip de circuito integrado Memória de programação |
Optoisolator Transistor with Base Output 7500Vpk 1 Channel 6-DIP
|
||
Diodo rectificador tipo ponte 1N4007 50 a 1000 volts 1,0 Ampère |
Diode 1000 V 1A Through Hole DO-41
|
||
Diodos Zener de vidro de silício passivado de 1,0 Watt Diodos Zener de vidro de junção passivada Diodo Zener de silício 1n4733A |
Zener Diode 5.1 V 1 W ±5% Through Hole DO-41
|
||
TIP127 ACERCA NOVA E ORIGINAL |
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W Through Hole TO-220
|