TIL117M Componentes Eletrônicos Chip de circuito integrado Memória de programação
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
TIL111M, TIL117M, MOC8100M
Optoacopladores fototransistores de propósito geral de 6 pines
Características
■ UL reconhecido (arquivo # E90700)
■ VDE reconhecido (arquivo n.° 102497 para embalagem branca)
¢ Adicionar a opção V (por exemplo, TIL111VM)
Descrição geral
Os optoacopladores MOC8100M, TIL111M e TIL117M consistem num diodo emissor de arseneto de gálio em infravermelho que conduz um fototransistor de silício num pacote em linha dupla de 6 pinos..
Aplicações
■ Reguladores de alimentação
■ Introduções lógicas digitais
■ Introduções de microprocessadores
■ Sistemas de sensores de dispositivos
■ Controlo industrial
RATINGS MAXIMOS ABSOLUTOS(1) |
TSTG Temperatura de armazenamento Todos -40 a +150 °C
Temperatura de funcionamento TOPR Todos -40 a +100 °C
TSOL Temperatura da solda de chumbo Todas as 260 durante 10 s °C
PD Dissipação total da potência do dispositivo @ TA = 25°C
Derate superior a 25°C Todos os 250 mW 2,94 mW/°C
Emitente SE corrente de entrada contínua/média para a frente Todas as 60 mA VR Voltagem de entrada reversa
TIL111M 3 V MOC8100M, TIL117M 6 IF ((pk)
Corrente para a frente Peak (300μs, 2% do ciclo de funcionamento) Todos os 3 A PD
Dissipação de energia do LED @ TA = 25 °C Derate acima de 25 °C
Todos os 120 mW 1,41 mW/°C
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Parte do estoque
ERA-5SM+ | 78L08 |
IRG4BC20UD | BUH515D |
24LC256-I/SN | ST1S10PHR |
AN7812 | MDM9615M |
OP747ARUZ | 88E111-B2-NDC2I000 |
ATXMEGA64D3-AU | ADCLK907BCPZ |
TLP281-4 | ADP1741ACPZ |
25LC1024-I/P | WS9221B |
STK404-130S | LMR62014XMF |
LM431BCM3X | LM2731XMFX |
TLV61225DCKR | LM2731XMFX |
AM28F010A-90JC | MAX14588ETE+ |
BTS141 | AT24C02D-SSHM-T |
BTS2140-1B | PIC16F877-04/PT |
1034SE001 | CX240DS |
30023* | DLW21SN900SQ2L |
30520* | NLV32T-100J-PF |
30536* | AOZ1282CI |
30639* | AOZ1282CI |
NTB60N06T4G | TLE4275KVURQ1 |
VND810SP | TLE4275KVURQ1 |
L9147P | MBRX160-TP |
APIC-S06 | PS21765 |
FM28V020-SGTR | A partir de 1 de janeiro de 2016, a taxa de produção deve ser de 0,15%. |
M24256-BWDW6TP | £3500 |
MCP6002T-I/MS | AD7865ASZ-1 |
MCP6004T-I/ST | REF02AZ/883 |
BAS40DW-04-7-F | SNJ54HCT14TK |
LM317LIPK | REF01AZ/883 |
HA16107P | LPC2294HBD144 |
UPC 812G | AD620SQ/883B |
DS26LS31CM | M24128-BWMN3TP/P |
DS26LS32ACM | LT1354CN8 |
M5195BFP | AQW254 |
SN751178NS | TP4056 |
AD8056ARZ | LNK302DG |
SN74LV245APWR | LNK302DG |
SN74LV244ANSR | FB423226T-Y7 |
TC4049BF | FM24CL16-G |
D2SB60 | NJM3404AV-TE1 |
DS90CF363BMT | NJM2119M |
SN74AC74DR | TMS320VC5402PGE100 |
SKN240/12 | MC1350DR2 |
MPU-6050 | LIS331DLHTR |
MT9D131C12STC-DP NOVO E ORIGINAL
AR0330CS1C12SPKA0-CP IC de memória flash NOVO E ORIGINAL
BAT54HT1G Chipe de circuito integrado eletrônico NOVO E ORIGINAL
BAT54SLT1G Chip de circuito integrado eletrônico NOVO E ORIGINAL
BAT54A Chipe de circuito integrado eletrônico NOVO E ORIGINAL
Diodo rectificador tipo ponte 1N4007 50 a 1000 volts 1,0 Ampère
Diodos Zener de vidro de silício passivado de 1,0 Watt Diodos Zener de vidro de junção passivada Diodo Zener de silício 1n4733A
NDT456P Diodo retificador de modo de aumento de canal P Transistor de efeito de campo
TIP127 ACERCA NOVA E ORIGINAL
Imagem | parte # | Descrição | |
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MT9D131C12STC-DP NOVO E ORIGINAL |
CMOS with Processor Image Sensor 1600H x 1200V 2.8µm x 2.8µm 48-CLCC (14.22x14.22)
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AR0330CS1C12SPKA0-CP IC de memória flash NOVO E ORIGINAL |
CMOS Image Sensor 2304H x 1536V 2.2µm x 2.2µm 64-CSP (6.28x6.65)
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BAT54HT1G Chipe de circuito integrado eletrônico NOVO E ORIGINAL |
Diode 30 V 200mA Surface Mount SOD-323
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BAT54SLT1G Chip de circuito integrado eletrônico NOVO E ORIGINAL |
Diode Array 1 Pair Series Connection 30 V 200mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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BAT54A Chipe de circuito integrado eletrônico NOVO E ORIGINAL |
Diode Array 1 Pair Common Anode 30 V 200mA Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Diodo rectificador tipo ponte 1N4007 50 a 1000 volts 1,0 Ampère |
Diode 1000 V 1A Through Hole DO-41
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Diodos Zener de vidro de silício passivado de 1,0 Watt Diodos Zener de vidro de junção passivada Diodo Zener de silício 1n4733A |
Zener Diode 5.1 V 1 W ±5% Through Hole DO-41
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NDT456P Diodo retificador de modo de aumento de canal P Transistor de efeito de campo |
P-Channel 30 V 7.5A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
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TIP127 ACERCA NOVA E ORIGINAL |
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W Through Hole TO-220
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