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Transceptor de barramento octal Chip de circuito integrado de 3 estados 74HC245PW,118

fabricante:
Fabricante
Descrição:
Transceptor, Não-invertendo 1 bocado do elemento 8 pela saída 20-TSSOP do elemento 3-State
Categoria:
Motorista ICs da exposição
Preço:
negotiation
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Característica 1:
Relação de ônibus bidirecional Octal
Característica 2:
Não-invertendo 3 saídas do estado
característica 3:
Opções múltiplas do pacote
Característica 4:
Cumpre com o no. padrão 7A de JEDEC
Proteção 1 do ESD:
HBM EIA/JESD22-A114-B excede 2000 V
Proteção 2 do ESD:
O milímetro EIA/JESD22-A115-A excede 200 V
Destaque:

integrated circuit ic

,

integrated circuit components

Introdução

1. Descrição geral

 

O 74HC245;74HCT245 é um dispositivo Si-gate CMOS de alta velocidade e é compatível com pinos com Low-Power Schottky TTL (LSTTL).

 

O 74HC245;O 74HCT245 é um transceptor octal com saídas compatíveis com barramento de 3 estados não inversoras nas direções de envio e recebimento.O 74HC245;O 74HCT245 possui uma entrada de habilitação de saída (OE) para fácil cascateamento e uma entrada de envio/recebimento (DIR) para controle de direção.OE controla as saídas para que os barramentos sejam efetivamente isolados.

 

O 74HC245;74HCT245 é semelhante ao 74HC640;74HCT640, mas tem saídas verdadeiras (não inversoras).

 

 

2. Características

 

■ Interface de barramento bidirecional octal

■ Saídas de 3 estados não inversoras

■ Várias opções de pacote

■ Em conformidade com a norma JEDEC nº.7A

■ Proteção ESD:

◆ HBM EIA/JESD22-A114-B excede 2000 V

◆ MM EIA/JESD22-A115-A excede 200 V

■ Especificado de -40 °C a +85 °C e de -40 °C a +125 °C

 

 

3. Dados de referência rápida

GND = 0 V;Tamb= 25°C;tr= tf= 6ns

Símbolo Parâmetro Condições mín. Tipo máx. Unidade
Tipo 74HC245
tPHL, tPLH

atraso de propagação

An para Bn ou Bn para An

Ceu= 15 pF;

VCC=5V

- 7 - ns
CEU capacitância de entrada   - 3.5 - pF
CE/S capacitância de entrada/saída   - 10 - pF
CDP

capacitância de dissipação de energia por

transceptor

VEU= GND a VCC [1] - 30 - pF
Tipo 74HC245
tPHL, tPLH

atraso de propagação

An para Bn ou Bn para An

Ceu= 15 pF;

VCC=5V

- 10 - ns
CEU capacitância de entrada   - 3.5 - pF
CE/S capacitância de entrada/saída   - 10 - pF
CDP

capacitância de dissipação de energia por

transceptor

VEU= GND para

VCC− 1,5 V

[1] - 30 - pF

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

[1] CDPé usado para determinar a dissipação de energia dinâmica (PDem µW):

PD= CDP× VCC2 × feu× N + ∑ (CL × VCC2× fo) onde:

feu= frequência de entrada em MHz;

fo= frequência de saída em MHz;

Ceu= capacitância de carga de saída em pF;

VCC= tensão de alimentação em V;

N = número de comutações de entradas;

∑ (Ceu× VCC2× fo) = soma das saídas.

 

 

4. Diagrama funcional

 

 

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