IR2117SPBF SINGLE CHANNEL DRIVER circuitos integrados comuns
electronics ic chip
,integrated circuit components
LISTA DE AÇÕES
| SN7417N | 3755 | TI | 16+ | MERGULHAR |
| VN920SP | 3756 | ST | 15+ | SOP10 |
| CNY75B | 3772 | VISHAY | 16+ | DIP-6 |
| DS1803 | 3777 | DALLAS | 15+ | SOP16 |
| MC33171 | 3778 | SOBRE | 12+ | SOP8 |
| 74LVC1G125DCKR | 3800 | TI | 16+ | SOT23 |
| AD8009ARZ | 3800 | DE ANÚNCIOS | 12+ | SOP8 |
| BA4560 | 3800 | ROHM | 16+ | SOP8 |
| BD680 | 3800 | ST | 16+ | TO-126 |
| CDRH6D28-101NC | 3800 | SUMIDA | 16+ | SMD |
| EL7202CS | 3800 | ELANTEC | 16+ | SOP-8 |
| IRF1010NPBF | 3800 | IR | 16+ | TO-220 |
| TDA2030A | 3800 | ST | 14+ | TO-220 |
| UC3854N | 3800 | TI | 16+ | DIP16 |
| GS3137-08-TAZ | 3801 | CONEXANTE | 16+ | TSSOP |
| TNY267PN | 3822 | PODER | 15+ | DIP-7 |
| TOP245PN | 3822 | PODER | 16+ | DIP-7 |
| AD8051AR | 3852 | DE ANÚNCIOS | 15+ | SOP8 |
| TS5A3153DCUR | 3870 | TI | 12+ | VSSOP-8 |
| E6N02 | 3874 | SOBRE | 16+ | SOP8 |
| FMMTA14 | 3888 | ZETEX | 12+ | SOT23 |
| TLC072CDGNR | 3888 | TI | 16+ | MSOP8 |
| BTS442E2 | 3900 | 16+ | SOT-263 | |
| FDD6670AL | 3900 | FAIRCHILD | 16+ | TO252 |
| NC7SZ00M5X | 3900 | FAIRCHILD | 16+ | SOT-153 |
IR2117SCircuitos integrados comuns do SINGLE CHANNEL DRIVER
Características
• Canal flutuante projetado para operação bootstrap Totalmente operacional até +600V Tolerante a tensão transitória negativa dV/dt imune
• Faixa de alimentação do acionamento do portão de 10 a 20V
• Bloqueio de subtensão
• Entradas acionadas por CMOS Schmitt com pull-down
• Saída em fase com entrada (IR2117) ou fora de fase com entrada (IR2118)
• Também disponível SEM CHUMBO
Descrição
O IR2117/IR2118(S) é um driver MOSFET e IGBT de alta tensão e alta velocidade.As tecnologias proprietárias de HVIC e CMOS imune a trava permitem uma construção monolítica robusta.A entrada lógica é compatível com saídas CMOS padrão.O driver de saída apresenta um estágio de buffer de corrente de pulso alto projetado para condução cruzada mínima.O canal flutuante pode ser usado para conduzir um MOSFET ou IGBT de potência de canal N na configuração do lado alto ou baixo que opera até 600 volts.