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Transistor eletrônico da eletrônica de IC da microplaqueta de circuito de SI4835DDY-T1-GE3 CI Chip Integrated

fabricante:
Fabricante
Descrição:
P-canal 30 V 13A (Tc) 2.5W (Ta), (Tc) montagem 8-SOIC da superfície 5.6W
Categoria:
Motorista ICs da exposição
Preço:
Negotiation
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Variação da temperatura:
-55 a +150°C
termo do pagamento:
T/T, Paypal, Western Union
Tensão:
5V
Expedição:
DHL, FEDEX, TNT, EMS
Pacote:
SOP-8
Pacote da fábrica:
Carretel
Destaque:

electronic integrated circuit

,

linear integrated circuits

Introdução

Transistor eletrônico da eletrônica de IC da microplaqueta de circuito de SI4835DDY-T1-GE3 CI Chip Integrated

ENCANTAR O INVERSOR BUFFERS/DRIVERS COM SAÍDAS DE OPEN-DRAIN

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CARACTERÍSTICAS

• Halogênio-livre de acordo com IEC 61249-2-21 disponível

• MOSFET do poder de TrenchFET®

• 100% Rg testado

• 100% UIS testado

APLICAÇÕES

• Interruptores da carga

- PCes do caderno

- PCes Desktop

AVALIAÇÕES MÁXIMAS E CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS

· Avaliações na temperatura 25OC ambiental salvo disposição em contrário

· Carga de fase monofásica, de semionda, de 60Hz, resistive ou indutiva

· Para a carga capacitiva derate atual por 20%

UNIDADES DOS SÍMBOLOS SF 61 SF 62 SF 63 SF 64 SF 65

A tensão reversa máxima repetitiva máxima VRRM 50 100 150 200 300 volts de tensão máxima VRMS 35 do RMS 70 105 140 210 volts de tensão de obstrução máxima VDC da C.C. 50 100 150 200 300 volts de média máxima retificou para a frente 0,375" atual comprimento da ligação (de 9.5mm) em TA= 55℃ I (avoirdupois) 6,0 onda de seno atual da metade do impulso dianteiro do pico do ampère 8.3mS única sobreposta na carga avaliado (método) de JEDEC IFSM 150 ampères de tensão dianteira instantânea máxima @ 6.0A VF 0,95 1,25 volts de corrente reversa máxima da C.C. Rated tensão de obstrução da C.C. Ta = 25℃ 5,0 Ta = as condições de teste máximas IF=0.5A do tempo de recuperação reversa do µA de 125℃ IR 50, IR=1.0A, trr 35 ns Capavitance térmico típico de IRR=0.25A (Medido em 1.0MHz e em tensão aplicada do rever de 4.0V) CJ 60 40 ℃ de funcionamento térmico típico da variação da temperatura TSTG do armazenamento do ℃ da variação da temperatura TJ da junção de RθJA 30 ℃/W da resistência do PF (NOTA 1) (- 55 a +150) (- 55 a +150)

Uma parte da lista conservada em estoque

TRANSPORTE BC848B, 215 1427/1KW SOT-23
DIODO FEP16DT FSC A1104/AB04 TO-220
Transporte. TIP31C FSC 2016/09/13/B08 TO-220
DIODO MUR860G EM 608 TO-220
DIODO MUR460RLG EM 1613 DO-201AD
UMK316AB7475KL 1206 4.7UF 50V X7R Taiyoyunden 1608 SMD1206
BZX84-C6V2 1610/Z4W SOT-23
RP164PJ331CS 330R SAMSUNG 20160922 SMD0603x4
RC1210JR-074R7L 1210 4R7 5% YAGEO 1638 SMD1210
LM833DR SI 0AMASD5 SOP-8
LMH6646MAX SI MUAB/MGAB SOP-8
LM8261M5 SI A45A SOT23-5
M24C04-WMN6TP STM K235Q SOP-8
RSX101VA-30TR ROHM R SOD-323
IRLML2502TRPBF IR G6109 SOT-23
CL21A106KOQNNNE SAMSUNG AC8NOK9 SMD0805
LM2936Z-5.0 NSC 81AX TO-92
HEF4538BT, 653 1610 SOP-16
DAC5571IDBVT SI D571 SOT23-6
DS36C279M/NOPB NSC 43RC SOP-8
1206 1R2 1% RC1206FR-071R2L YAGEO 1638 SMD1206
0603 120R 1% RC0603FR-07120RL YAGEO 1635 SMD0603
0603 22K 1% RC0603FR-0722KL YAGEO 1635 SMD0603
AT24C64CN-SH-T ATMEL 008/64C 1 SOP-8
TLC072CDGN SI TI8A/ADV MSOP-8
74HC238D 1625 SOP-16
S5M-E3/57T VISHAY 1603/5M SMC
US1M-E3/61T VISHAY 1628/UM SMA
MC78M05CDTX FSC 1A42AD TO-252
HY-SRF05   16+  

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MOQ:
10pcs