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Componentes eletrônicos

Imagemparte #DescriçãofabricanteConservado em estoqueRFQ
BT1convenção de associação

BT1convenção de associação

SCR 650 V 12 A Montagem de superfície de recuperação padrão DPAK
feito na porcelana
BAT54C Chipe de circuito integrado eletrônico NOVO E ORIGINAL

BAT54C Chipe de circuito integrado eletrônico NOVO E ORIGINAL

Disposição do diodo montagem comum TO-236-3 da superfície do cátodo 30 V 200mA de 1 par (C.C.), SC-5
Taiwan Semicondutor Corporaçõ
BAT54HT1G Chipe de circuito integrado eletrônico NOVO E ORIGINAL

BAT54HT1G Chipe de circuito integrado eletrônico NOVO E ORIGINAL

Montagem de superfície SOD-323 do diodo 30 V 200mA
Semi ON / Semi Catalisador
BAT54SLT1G Chip de circuito integrado eletrônico NOVO E ORIGINAL

BAT54SLT1G Chip de circuito integrado eletrônico NOVO E ORIGINAL

Disposição do diodo montagem TO-236-3 da superfície da conexão de série 30 V de 1 par 200mA (C.C.),
Semi ON / Semi Catalisador
BA595E6327 Chipe de circuito integrado eletrônico NOVO E ORIGINAL

BA595E6327 Chipe de circuito integrado eletrônico NOVO E ORIGINAL

PIN de diodo de RF - 50V único 50 mA PG-SOD323-2-1
Infineon
BAS316 Chipe de circuito integrado eletrônico NOVO E ORIGINAL

BAS316 Chipe de circuito integrado eletrônico NOVO E ORIGINAL

Montagem de superfície SOD-323 do diodo 100 V 250mA
Taiwan Semicondutor Corporaçõ
BAS40TW-7-F Chip de circuito integrado eletrônico NOVO E ORIGINAL

BAS40TW-7-F Chip de circuito integrado eletrônico NOVO E ORIGINAL

Diodo Array 3 Independente 40 V 200mA (DC) Montador de superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
DIODOS
BAT46W-7-F Chipe de circuito integrado eletrónico NOVO E ORIGINAL

BAT46W-7-F Chipe de circuito integrado eletrónico NOVO E ORIGINAL

Montagem de superfície SOD-123 do diodo 100 V 150mA
DIODOS
BAT54A Chipe de circuito integrado eletrônico NOVO E ORIGINAL

BAT54A Chipe de circuito integrado eletrônico NOVO E ORIGINAL

Disposição do diodo montagem de superfície comum TO-236-3 do ânodo 30 V 200mA de 1 par, SC-59, SOT-2
Semi ON / Semi Catalisador
IC de memória flash EMH4T2R NOVO E ORIGINAL

IC de memória flash EMH4T2R NOVO E ORIGINAL

Transistor bipolar Pre-inclinado (BJT) 2 NPN - montagem de superfície (dupla) Pre-inclinada EMT6 de
Semicondutores Rohm
2N7002W-7-F Chipe de circuito integrado eletrônico NOVO E ORIGINAL

2N7002W-7-F Chipe de circuito integrado eletrônico NOVO E ORIGINAL

Canal N 60 V 115mA (Ta) 200mW (Ta) Montador de superfície SOT-323
DIODOS
2SC2713-BL,LF Chipe de circuito integrado eletrônico NOVO E ORIGINAL

2SC2713-BL,LF Chipe de circuito integrado eletrônico NOVO E ORIGINAL

Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 100 mA 100MHz 150 mW Monte de superfície TO-236
TOSHIBA
ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE VS-HFA25PB60PBF

ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE VS-HFA25PB60PBF

O diodo 600 V 25A através do furo TO-247AC alterou
VISHAY
ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IRL1404PBF

ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IRL1404PBF

N-canal 40 V 160A (Tc) 200W (Tc) através do furo TO-220AB
Infineon
ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IRGI4061DPBF

ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IRGI4061DPBF

Trincheira 600 V 20 A 43 W de IGBT através do furo TO-220AB
Infineon
ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE AUIRFS4010-7TRL

ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE AUIRFS4010-7TRL

Montagem D2PAK da superfície 380W do N-canal 100 V 190A (Tc) (Tc) (7-Lead)
Infineon
ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE TCMT1107

ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE TCMT1107

Canal 4-SOP da saída 3750Vrms 1 do transistor do Optoisolator
VISHAY
ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE 1N5245B-TAP

ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE 1N5245B-TAP

Diodo 15 V 500 mW ±5% de Zener através do furo DO-35 (DO-204AH)
VISHAY
ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE SUD17N25-165-E3

ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE SUD17N25-165-E3

N-canal 250 V 17A (Tc) 3W (Ta), (Tc) montagem TO-252AA da superfície 136W
VISHAY
BC848B Indutor variável Novo e original de estoque Certificação ROHS

BC848B Indutor variável Novo e original de estoque Certificação ROHS

Transistor (BJT) bipolar NPN 30 V 100 miliampère 100MHz montagem de superfície SOT-23 de 200 mW
Taiwan Semicondutor Corporaçõ
UPA1793G-E1 NOVO E ORIGINAL

UPA1793G-E1 NOVO E ORIGINAL

Mosfet Array 20V 3A 2W Monte de superfície 8-PSOP
RENESAS
B340Q-13-F Chip de circuito integrado eletrónico NOVO E ORIGINAL

B340Q-13-F Chip de circuito integrado eletrónico NOVO E ORIGINAL

Diodo 40 V 3A montagem em superfície SMC
DIODOS
B160-13-F Chip de circuito integrado eletrónico NOVO E ORIGINAL

B160-13-F Chip de circuito integrado eletrónico NOVO E ORIGINAL

Diodo de 60 V 1A de montagem de superfície SMA
DIODOS
IRF6638TRPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

IRF6638TRPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

N-Canal 30 V 25A (Ta), 140A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Montador de superfície DIRECTFETTM MX
Infineon
IRF6620TRPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

IRF6620TRPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

N-Canal 20 V 27A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Montador de superfície DIRECTFETTM MX
Infineon
IRF630NPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

IRF630NPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

N-canal 200 V 9.3A (Tc) 82W (Tc) através do furo TO-220AB
Infineon
IRF620PBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

IRF620PBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

N-canal 200 V 5.2A (Tc) 50W (Tc) através do buraco TO-220AB
VISHAY
IRF630NSTRLPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

IRF630NSTRLPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

N-Canal 200 V 9.3A (Tc) 82W (Tc) Montador de superfície D2PAK
Infineon
IRF6665TRPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

IRF6665TRPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

N-Canal 100 V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Montador de superfície DIRECTFETTM SH
Infineon
IRF6216TRPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

IRF6216TRPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

P-Canal 150 V 2.2A (Ta) 2.5W (Ta) Montador de superfície 8-SO
Infineon
IRF6218STRLPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

IRF6218STRLPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

P-Canal 150 V 27A (Tc) 250W (Tc) Montador de superfície D2PAK
Infineon
VS-63CPQ100PBF Transistor de Efeito de Campo

VS-63CPQ100PBF Transistor de Efeito de Campo

Diodo 1 par Cátodo comum 100 V 30A através do buraco TO-247-3
VISHAY
IRF640NPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

IRF640NPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

N-canal 200 V 18A (Tc) 150W (Tc) através do furo TO-220AB
Infineon
IRF9530NPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

IRF9530NPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

P-canal 100 V 14A (Tc) 79W (Tc) através do furo TO-220AB
Infineon
IRF9540NSTRLPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

IRF9540NSTRLPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

P-canal 100 V 23A (Tc) 3.1W (Ta), (Tc) montagem D2PAK da superfície 110W
Infineon
IRF9362TRPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

IRF9362TRPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

Montagem de superfície 8-SO da disposição 30V 8A 2W do Mosfet
Infineon
IRF9540PBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

IRF9540PBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

P-canal 100 V 19A (Tc) 150W (Tc) através do furo TO-220AB
VISHAY
IRF9640STRLPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

IRF9640STRLPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

P-canal 200 V 11A (Tc) 3W (Ta), (Tc) ² PAK da montagem D da superfície 125W (TO-263)
VISHAY
IRF9640PBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

IRF9640PBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

P-canal 200 V 11A (Tc) 125W (Tc) através do furo TO-220AB
Infineon
IRF9358TRPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

IRF9358TRPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

Montagem de superfície 8-SO da disposição 30V 9.2A 2W do Mosfet
Infineon
IRF9Z24NSTRLPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

IRF9Z24NSTRLPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

P-canal 55 V 12A (Tc) 3.8W (Ta), (Tc) montagem D2PAK da superfície 45W
Infineon
IRF9630PBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

IRF9630PBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

P-canal 200 V 6.5A (Tc) 74W (Tc) através do furo TO-220AB
VISHAY
IRF9Z34NPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

IRF9Z34NPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

P-canal 55 V 19A (Tc) 68W (Tc) através do furo TO-220AB
Infineon
IRF9530NSTRLPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

IRF9530NSTRLPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

P-canal 100 V 14A (Tc) 3.8W (Ta), (Tc) montagem D2PAK da superfície 79W
Infineon
IRF9Z24NPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

IRF9Z24NPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

P-canal 55 V 12A (Tc) 45W (Tc) através do furo TO-220AB
Infineon
IRF9310TRPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

IRF9310TRPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

Montagem 8-SO da superfície 2.5W do P-canal 30 V 20A (Tc) (Ta)
Infineon
IRG4BC30KDPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

IRG4BC30KDPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

IGBT 600 V 28 A 100 W através do furo TO-220AB
Infineon
IRG4BC30KDSTRRP Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

IRG4BC30KDSTRRP Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

IGBT 600 V 28 A 100 W Montador de superfície D2PAK
Infineon
IRF9540NPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

IRF9540NPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

P-canal 100 V 23A (Tc) 140W (Tc) através do furo TO-220AB
Infineon
IRF9321TRPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

IRF9321TRPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL

Montagem 8-SO da superfície 2.5W do P-canal 30 V 15A (Ta) (Ta)
Infineon
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