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Componentes eletrônicos
| Imagem | parte # | Descrição | fabricante | Conservado em estoque | RFQ | |
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IRFU9024NPBF |
P-canal 55 V 11A (Tc) 38W (Tc) através do furo IPAK (TO-251AA)
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Infineon
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL do transistor de efeito de campo de VS-HFA08SD60STRPBF |
Montagem de superfície D-PAK do diodo 600 V 8A (TO-252AA)
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VISHAY
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL do transistor de efeito de campo 80CNQ045ASM |
Disposição do diodo cátodo comum 45 V 40A de 1 par através do furo D-61-8-SM
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VISHAY
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL do transistor de efeito de campo de IRF1018EPBF |
N-canal 60 V 79A (Tc) 110W (Tc) através do furo TO-220AB
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Infineon
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL do transistor de efeito de campo IRF100B201 |
N-canal 100 V 192A (Tc) 441W (Tc) através do furo TO-220AB
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Infineon
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL do transistor de efeito de campo de IRF1405PBF |
N-canal 55 V 169A (Tc) 330W (Tc) através do furo TO-220AB
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Infineon
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL do transistor de efeito de campo de IRF1407STRLPBF |
N-canal 75 V 100A (Tc) 3.8W (Ta), (Tc) montagem D2PAK da superfície 200W
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Infineon
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL do transistor de efeito de campo de IRF1312PBF |
N-canal 80 V 95A (Tc) 3.8W (Ta), 210W (Tc) através do furo TO-220AB
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Infineon
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL do transistor de efeito de campo de IRF1404ZSTRLPBF |
Montagem PG-TO263-3 da superfície 200W do N-canal 40 V 180A (Tc) (Tc)
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Infineon
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IRLB3034PBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Canal N 40 V 195A (Tc) 375W (Tc) Orifício de passagem TO-220AB
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Fabricante
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL do transistor de efeito de campo de IRLB3036PBF |
N-canal 60 V 195A (Tc) 380W (Tc) através do furo TO-220AB
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Infineon
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL do transistor de efeito de campo de IRLB3813PBF |
N-canal 30 V 260A (Tc) 230W (Tc) através do furo TO-220AB
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Infineon
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL do transistor de efeito de campo de IRFD120PBF |
N-canal 100 V 1.3A (Ta) 1.3W (Ta) através do furo 4-HVMDIP
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VISHAY
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IRFR3709ZTRPBF |
Montagem D-Pak da superfície 79W do N-canal 30 V 86A (Tc) (Tc)
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Infineon
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2SC2712-GR,LF IC de memória flash NOVO E ORIGINAL |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 150 mA 80MHz 150 mW Monte de superfície S-Mini
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TOSHIBA
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2SC2712-Y,LF IC de memória flash nova e original |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 150 mA 80MHz 150 mW Monte de superfície S-Mini
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TOSHIBA
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TIP127 ACERCA NOVA E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W através do furo TO-220
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Semi ON / Semi Catalisador
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TIP31C ACERCA NOVA E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar NPN 100 V 3 A 2 W através do furo TO-220
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STMicroelectronics
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8ETH06 IC de memória flash NOVO E ORIGINAL |
Diodo 600 V 8A Através do Orifício TO-220AC
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VISHAY
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BCM846SH6327XTSA1 IC de memória flash |
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 65V 100mA 250MHz 250mW Montagem em Superfície PG-SOT363-
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Infineon
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GRM033R71A122KA01D EXTRAÇÃO NOVA E ORIGINAL |
1200 capacitor cerâmico do PF ±10% 16V X7R 0201 (métrica 0603)
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Murata
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GRM155R61C105KA12D condensador de alta temperatura novo e original |
1 µF ±10% 16V Capacitor Cerâmico X5R 0402 (1005 Métrico)
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Murata
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