	Imagem	parte #	Descrição	fabricante	Conservado em estoque	RFQ
		IGBT 600V 22A 156W isolou o transistor bipolar IRGB10B60KDPBF da porta	IGBT NPT 600 V 22 A 156 W através do furo TO-220AB
		O transistor do Mosfet do poder de MGW12N120D isolou o transistor bipolar da porta com diodo antiparalelo	IGBT
		IRG4BC30UD ISOLADOS BLOQUEIAM o mosfet BIPOLAR da baixa potência do TRANSISTOR	IGBT 600 V 23 A 100 W Through Hole TO-220AB
		IRG4BC20KDPBF ISOLADOS BLOQUEIAM o mosfet BIPOLAR da baixa potência do TRANSISTOR	IGBT 600 V 16 A 60 W Through Hole TO-220AB
		Transistor alto da condutibilidade IGBT/tensão de alta velocidade 75V do diodo de comutação BAV99	Disposição do diodo montagem de superfície TO-236-3 da conexão de série 75 V de 1 par 150mA, SC-59,
		Transistor de efeito de campo de alta precisão MBR20100CTP Transistor bipolar de porta isolada	Disposição do diodo cátodo comum 100 V de 1 par através do furo TO-220-3
		TC4421AVOA Chip de circuito integrado 9A Drivers MOSFET de alta velocidade	Driver de portão de lado baixo IC inversor 8-SOIC