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microplaquetas eletrônicas do CI
| Imagem | parte # | Descrição | fabricante | Conservado em estoque | RFQ | |
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BCP55-16 ACERCA NOVA E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar NPN 60 V 1 uma montagem de superfície SOT-223 de 100MHz 1,3 W
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Semicondutor de Diotec
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BCP55-16 ACERCA NOVA E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar NPN 60 V 1 uma montagem de superfície SOT-223 de 100MHz 1,3 W
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Semicondutor de Diotec
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BCP56 ACERCA NOVA E ORIGINAL |
Montagem de superfície bipolar SOT-223-4 do transistor (BJT) NPN 80 V 1,2 A 1 W
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Semi ON / Semi Catalisador
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BCP56 ACERCA NOVA E ORIGINAL |
Montagem de superfície bipolar SOT-223-4 do transistor (BJT) NPN 80 V 1,2 A 1 W
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Semi ON / Semi Catalisador
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BCP56-16 EXPÓRIO NUEVO E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar NPN 80 V 1 uma montagem de superfície SOT-223 de 100MHz 2 W
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Semicondutor de Diotec
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BCP56-16 EXPÓRIO NUEVO E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar NPN 80 V 1 uma montagem de superfície SOT-223 de 100MHz 2 W
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Semicondutor de Diotec
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BCP56-16 EXPÓRIO NUEVO E ORIGINAL |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 1,6 W Montagem em Superfície SOT-223
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Anbon Semi
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BCP56-16 EXPÓRIO NUEVO E ORIGINAL |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 1,6 W Montagem em Superfície SOT-223
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STMicroelectronics
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BCP69 ACERCA NOVA E ORIGINAL |
Montagem de superfície bipolar SOT-223-4 do transistor (BJT) PNP 20 V 1,5 A 1 W
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Fairchild
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BCP69-16 PÓSICOS NOVOS E ORIGINÁRIOS |
Transistor (BJT) bipolar 20 V 1 uma montagem de superfície PG-SOT223-4 de 100MHz 3 W
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Infineon
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BCV46QTA EXPÓRIO NUEVO E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar PNP - Darlington 60 V 500 miliampère 200MHz montagem de superfície SOT-23-3
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DIODOS
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BCV46-QR PÓSICOS NOVOS E ORIGINÁRIOS |
Transistor (BJT) bipolar PNP - Darlington 60 V 500 miliampères montagem de superfície TO-236AB de 25
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Nexperia
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BCV46TA PÓSICOS NUEVOS E ORIGINÁRIOS |
Transistor (BJT) bipolar PNP - Darlington 60 V 500 miliampère 200MHz montagem de superfície SOT-23-3
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DIODOS
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BCV47,235 PÓSICOS NOVOS E ORIGINÁRIOS |
Transistor (BJT) bipolar NPN - Darlington 60 V 500 miliampère 220MHz montagem de superfície TO-236AB
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Nexperia
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BCV47,215 PÓSICOS NOVOS E ORIGINÁRIOS |
Transistor (BJT) bipolar NPN - Darlington 60 V 500 miliampère 220MHz montagem de superfície TO-236AB
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Nexperia
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BCV46,215 BANCO NUEVO E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar PNP - Darlington 60 V 500 miliampère 220MHz montagem de superfície TO-236AB
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Nexperia
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BCV47TA EXPORTE NUEVO E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar NPN - Darlington 60 V 500 miliampère 170MHz montagem de superfície SOT-23-3
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DIODOS
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IRFP2907PBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
N-canal 75 V 209A (Tc) 470W (Tc) através do furo TO-247AC
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Infineon
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IRFP4868PBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Canal N 300 V 70A (Tc) 517W (Tc) Orifício de passagem TO-247AC
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Infineon
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Transistor de Efeito de Campo IRFP450LC NOVO E ORIGINAL |
Canal N 500 V 14A (Tc) 190W (Tc) Orifício de passagem TO-247AC
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VISHAY
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IRFP250MPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Canal N 200 V 30A (Tc) 214W (Tc) Orifício de passagem TO-247AC
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Infineon
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IRFPE40PBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
N-canal 800 V 5.4A (Tc) 150W (Tc) através do furo TO-247AC
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VISHAY
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IRG4BC40UPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
IGBT 600 V 40 A 160 W Orifício TO-220AB
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Infineon
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LH1525AABTR Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
SPST-NO de circuito integrado (1 formulário A) 6-SMD (0,300", 7.62mm)
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VISHAY
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IRFL014NTRPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Montagem SOT-223 da superfície 1W do N-canal 55 V 1.9A (Ta) (Ta)
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Infineon
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BC847BS Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Montagem de superfície bipolar SC-88 da disposição 2 NPN do transistor (BJT) 45V (duplo) 100mA 210mW
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Semi ON / Semi Catalisador
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BC847BW Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar NPN 45 V 100 miliampère 100MHz montagem de superfície SOT-323 de 200 mW
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Semicondutor de Diotec
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BC847W,135 Superficie Mount Indutor Novo e Original Stock |
Transistor (BJT) bipolar NPN 45 V 100 miliampère 100MHz montagem de superfície SOT-323 de 200 mW
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NXP
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BC848B Transistor de Alta Frequência Novo e Original |
Transistor (BJT) bipolar NPN 30 V 100 miliampère 100MHz montagem de superfície SOT-23 de 200 mW
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Taiwan Semicondutor Corporaçõ
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BC856B Transistor de Alta Tensão Novo e Original |
Transistor (BJT) bipolar PNP 65 V 100 miliampère 100MHz montagem de superfície SOT-23 de 200 mW
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Taiwan Semicondutor Corporaçõ
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BC856B Transistor de Potência Novo e Original |
Transistor (BJT) bipolar PNP 65 V 100 miliampère 150MHz montagem de superfície SOT-23 de 350 mW
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Semicondutor Good-Ark
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BC856BW Transistor de Potência Novo e Original |
Transistor (BJT) bipolar PNP 65 V 100 miliampère 100MHz montagem de superfície SOT-323 de 200 mW
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Semicondutor de Diotec
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BC856W-QX Indutor ajustável Novo e Original |
Transistor (BJT) bipolar PNP 65 V 100 miliampère 100MHz montagem de superfície SOT-323 de 200 mW
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Nexperia
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BC856S Indutor ajustável novo e original |
Montagem de superfície bipolar SOT-363 da disposição 2 PNP do transistor (BJT) 65V (duplo) 100mA 100
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Semicondutor de Diotec
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BC856W-QF ACERCA NOVA E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar PNP 65 V 100 miliampère 100MHz montagem de superfície SOT-323 de 200 mW
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Nexperia
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BC856W/ZL115 NOVO E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar
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NXP
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BC857,215 ACERCA NOVA E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar PNP 45 V 100 miliampère 100MHz montagem de superfície TO-236AB de 250 mW
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Nexperia
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BC857A NOVO E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar PNP 45 V 100 miliampère 100MHz montagem de superfície SOT-23 de 200 mW
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Taiwan Semicondutor Corporaçõ
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BC857BS PÓSICOS NOVOS E ORIGINÁRIOS |
Montagem de superfície bipolar SOT-363 da disposição 2 PNP do transistor (BJT) 45V (duplo) 100mA 200
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Fabricante
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BC857BW NOVO E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar PNP 45 V 100 miliampère 100MHz montagem de superfície SOT-323 de 200 mW
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Semicondutor de Diotec
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BC857C NOVO E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar PNP 45 V 100 miliampère 150MHz montagem de superfície SOT-23 de 350 mW
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Semicondutor Good-Ark
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BC857BW NOVO E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar PNP 45 V 100 miliampère 100MHz montagem de superfície SOT-323 de 200 mW
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Semicondutor de Diotec
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BC857C NOVO E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar PNP 45 V 100 miliampère 100MHz montagem de superfície SOT-23 de 200 mW
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Taiwan Semicondutor Corporaçõ
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BC857W,135 NOVO E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar PNP 45 V 100 miliampère 100MHz montagem de superfície SOT-323 de 200 mW
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Nexperia
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BC857W,115 NOVO E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar PNP 45 V 100 miliampère 100MHz montagem de superfície SOT-323 de 200 mW
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Nexperia
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BC858B ACERCA NUEVA E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar PNP 30 V 100 miliampère 100MHz montagem de superfície SOT-23 de 200 mW
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Taiwan Semicondutor Corporaçõ
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BC858B ACERCA NUEVA E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar PNP 30 V 100 miliampère 100MHz montagem de superfície SOT-23-3 de 250 mW (T
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Infineon
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BCM857BS,115 NOVO E ORIGINAL |
Montagem de superfície combinada (dupla) bipolar 6-TSSOP dos pares 45V 100mA 175MHz 300mW da disposi
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Nexperia
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BCM857BS-7-F NOVO E ORIGINAL |
Montagem de superfície bipolar SOT-363 da disposição 2 PNP do transistor (BJT) 45V (duplo) 100mA 100
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DIODOS
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BCP51 ACERCA NOVA E ORIGINAL |
Montagem de superfície bipolar SOT-223-4 do transistor (BJT) PNP 45 V 1,5 A 1 W
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Semi ON / Semi Catalisador
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