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microplaquetas eletrônicas do CI
| Imagem | parte # | Descrição | fabricante | Conservado em estoque | RFQ | |
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Transistor de Efeito de Campo BAV70W NOVO E ORIGINAL |
Conjunto de diodos 1 par de cátodo comum 75 V 300 mA para montagem em superfície SC-70, SOT-323
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DIODOS
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Transistor de Efeito de Campo BAV70W NOVO E ORIGINAL |
Conjunto de diodos 1 par de cátodo comum 75 V 150 mA para montagem em superfície SC-70, SOT-323
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Infineon
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Transistor de Efeito de Campo BAV99 NOVO E ORIGINAL |
Disposição do diodo montagem de superfície TO-236-3 da conexão de série 70 V de 1 par 215mA, SC-59,
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Fabricante
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BAV99S_R1_00001 Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Conjunto de diodos Conexão em série de 2 pares 75 V 150 mA Montagem em superfície 6-TSSOP, SC-88, SO
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Fabricante
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BAV99S,135 Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Conjunto de diodos Conexão em série de 2 pares 100 V 200 mA (CC) Montagem em superfície 6-TSSOP, SC-
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Nexperia
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BAV99S,115 Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Conjunto de diodos Conexão em série de 2 pares 100 V 200 mA (CC) Montagem em superfície 6-TSSOP, SC-
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Nexperia
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Transistor de Efeito de Campo BAV99W NOVO E ORIGINAL |
Conjunto de diodos Conexão em série de 1 par 75 V 150 mA Montagem em superfície SC-70, SOT-323
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Taiwan Semicondutor Corporaçõ
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BAW56 Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
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Fabricante
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BAW56 Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Matriz de diodo 1 par de ânodo comum 85 V 200mA montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Fairchild
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BAW56 Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Disposição de diodo 1 par de ânodo comum 70 V 200mA montagem em superfície
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Fabricante
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BAW56S,115 Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Matriz de diodos 2 pares de ânodo comum 90 V 250 mA (DC) Montagem em superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-
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Nexperia
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Transistor de Efeito de Campo BAV99W NOVO E ORIGINAL |
Conjunto de diodos Conexão em série de 1 par 75 V 150 mA Montagem em superfície SC-70, SOT-323
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Semicondutor Good-Ark
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BAW56 Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Conjunto de diodos 1 par de ânodo comum 70 V 200 mA para montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SOT
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Semicondutor Good-Ark
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BC807RAZ Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Matriz de transistor bipolar (BJT) 2 PNP (duplo) 45V 500mA 80MHz 350mW Montagem em superfície DFN141
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Nexperia
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BC807-16 Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar PNP 45 V 500 miliampère 100MHz montagem de superfície SOT-23 de 300 mW
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Taiwan Semicondutor Corporaçõ
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BC807-16 Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar PNP 45 V 800 miliampère 100MHz montagem de superfície SOT-23-3 de 310 mW (T
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Infineon
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BC807-16W Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 500 mA 80 MHz 200 mW Montagem em superfície SOT-323
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Taiwan Semicondutor Corporaçõ
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BC807-25 Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar PNP 45 V 500 miliampère 100MHz montagem de superfície SOT-23 de 300 mW
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Taiwan Semicondutor Corporaçõ
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BC807-25 EXPÓRIO NUEVO E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar PNP 45 V 800 miliampère 100MHz montagem de superfície SOT-23-3 de 310 mW (T
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Infineon
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BC807-40 Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
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Fabricante
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BC807-40 Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar PNP 45 V 500 miliampère 100MHz montagem de superfície SOT-23 de 300 mW
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Taiwan Semicondutor Corporaçõ
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BC807-40 Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar PNP 45 V 500 miliampère 100MHz montagem de superfície SOT-23 de 300 mW
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Semicondutor Good-Ark
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BC817RAZ Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Matriz de transistor bipolar (BJT) 2 NPN (duplo) 45V 500mA 100MHz 350mW Montagem em superfície DFN14
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Nexperia
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BC817-16 Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar NPN 45 V 500 miliampère 100MHz montagem de superfície SOT-23 de 300 mW
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Taiwan Semicondutor Corporaçõ
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BC817-16W Transistor de Efeito de Campo |
Transistor bipolar (BJT) NPN 45 V 500 mA 100 MHz 200 mW Montagem em superfície SOT-323
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Taiwan Semicondutor Corporaçõ
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BC817-25 Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
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Fabricante
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BC817-16 Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) NPN 45 V 800 mA 100 MHz 310 mW Montagem em superfície SOT23-3 (TO-236)
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Infineon
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BC817-16W Transistor de Efeito de Campo |
Transistor (BJT) bipolar
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Infineon
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BC817-25 Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar NPN 45 V 500 miliampère 100MHz montagem de superfície SOT-23 de 300 mW
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Taiwan Semicondutor Corporaçõ
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BC817-40 Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar NPN 45 V 500 miliampère 100MHz montagem de superfície SOT-23 de 300 mW
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Taiwan Semicondutor Corporaçõ
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BC846B Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar NPN 65 V 100 miliampère 300MHz montagem de superfície SOT-23-3 de 350 mW
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Semicondutor Good-Ark
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BC846B Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar NPN 65 V 100 miliampère 100MHz montagem de superfície SOT-23 de 200 mW
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Taiwan Semicondutor Corporaçõ
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BC846BPN,115 Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Disposição bipolar NPN do transistor (BJT), montagem de superfície 6-TSSOP de PNP 65V 100mA 100MHz 3
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Nexperia
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BCP53-10 EXPÓRIO NUEVO E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar PNP 80 V 1 uma montagem de superfície SOT-223 de 120MHz 1,3 W
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Semicondutor de Diotec
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BCP53-10 EXPÓRIO NUEVO E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar PNP 80 V 1 uma montagem de superfície SOT-223 de 120MHz 1,3 W
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Semicondutor de Diotec
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BCP53-16 BANCO NOVO E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar PNP 80 V 1 uma montagem de superfície SOT-223 de 120MHz 1,3 W
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Semicondutor de Diotec
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BCP53-16 BANCO NOVO E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar PNP 80 V 1 uma montagem de superfície SOT-223 de 50MHz 1,6 W
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STMicroelectronics
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BCP54 ACERCA NOVA E ORIGINAL |
Montagem de superfície bipolar SOT-223-4 do transistor (BJT) NPN 45 V 1,5 A 1,5 W
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Fairchild
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BCP54 ACERCA NOVA E ORIGINAL |
Montagem de superfície bipolar SOT-223-4 do transistor (BJT) NPN 45 V 1,5 A 1,5 W
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Semi ON / Semi Catalisador
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IRFL4310TRPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Canal N 100 V 1,6A (Ta) 1W (Ta) Montagem em superfície SOT-223
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Infineon
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IRFL024NTRPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Montagem SOT-223 da superfície 1W do N-canal 55 V 2.8A (Ta) (Ta)
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Infineon
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BCP53 ACERCA NOVA E ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) PNP 80 V 1,2 A 1,5 W Montagem em superfície SOT-223-4
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Semi ON / Semi Catalisador
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IRF540NPBF Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
N-canal 100 V 33A (Tc) 130W (Tc) através do furo TO-220AB
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Infineon
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BK/GMT-7-1/2A Fuse Chip NOVO E ORIGINAL |
7.5A 125 VAC fusível de 60 VDC que indica o fusível exige o suporte
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Fabricante
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BCP54-16,135 ACERCA NOVA E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar NPN 45 V 1 um 180MHz montagem de superfície SOT-223 de 960 mW
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Nexperia
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BCP54-16,115 ACERCA NOVA E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar NPN 45 V 1 um 180MHz montagem de superfície SOT-223 de 960 mW
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Nexperia
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BCP55 ACERCA NOVA E ORIGINAL |
Montagem de superfície bipolar SOT-223-4 do transistor (BJT) NPN 60 V 1,5 A 1,5 W
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Fairchild
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BCP55-10 ACERCA NOVA E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar NPN 60 V 1 uma montagem de superfície SOT-223 de 100MHz 1,3 W
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Semicondutor de Diotec
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BCP55-10 ACERCA NOVA E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar NPN 60 V 1 uma montagem de superfície SOT-223 de 100MHz 1,3 W
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Semicondutor de Diotec
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BCP55 ACERCA NOVA E ORIGINAL |
Montagem de superfície bipolar SOT-223-4 do transistor (BJT) NPN 60 V 1,5 A 1,5 W
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Semi ON / Semi Catalisador
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