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microplaquetas eletrônicas do CI
| Imagem | parte # | Descrição | fabricante | Conservado em estoque | RFQ | |
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BAV70 Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Matriz de diodos 1 par de cátodo comum 100 V 215mA (DC) Montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SOT-
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Fabricante
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BCV46TC NOVO E ORIGINÁRIO |
Transistor (BJT) bipolar PNP - Darlington 60 V 500 miliampère 200MHz montagem de superfície SOT-23-3
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DIODOS
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BCV47QTC NOVO E ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) NPN - Darlington 60 V 500 mA 170 MHz 310 mW Montagem em superfície SOT-23-3
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DIODOS
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BCV47TC NOVO E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar NPN - Darlington 60 V 500 miliampère 170MHz montagem de superfície SOT-23-3
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DIODOS
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BCV47 TR PBFREE NOVO E ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) NPN - Darlington 60 V 500 mA 220 MHz 350 mW Montagem em superfície SOT-23
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Fabricante
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BCX51-10F ACERCA NOVA E ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 1 A 145 MHz 500 mW Montagem em superfície SOT-89
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Nexperia
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE BCX51,115 |
Transistor (BJT) bipolar PNP 45 V 1 uma montagem de superfície SOT-89 de 145MHz 1,3 W
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NXP
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE BCX5116TA |
Transistor (BJT) bipolar PNP 45 V 1 uma montagem de superfície SOT-89-3 de 150MHz 1 W
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DIODOS
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE BCX51-16TF |
Transistor (BJT) bipolar PNP 45 V 1 A montagem de superfície SOT-89 de 500 mW
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Nexperia
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE BCX51-16,135 |
Transistor (BJT) bipolar PNP 45 V 1 uma montagem de superfície SOT-89 de 145MHz 1,3 W
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Nexperia
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE BCX52-10-TP |
Transistor (BJT) bipolar PNP 60 V 1 um 50MHz montagem de superfície SOT-89 de 500 mW
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Fabricante
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE BCX52-10TF |
Transistor (BJT) bipolar PNP 60 V 1 A montagem de superfície SOT-89 de 500 mW
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Nexperia
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BCX5210TA NOVO E ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolar PNP 60 V 1 uma montagem de superfície SOT-89-3 de 150MHz 1 W
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DIODOS
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE BCX51-16,115 |
Transistor (BJT) bipolar PNP 45 V 1 uma montagem de superfície SOT-89 de 145MHz 1,3 W
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Nexperia
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE BCX52-10,115 |
Transistor (BJT) bipolar PNP 60 V 1 uma montagem de superfície SOT-89 de 145MHz 1,3 W
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Nexperia
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL do transistor de efeito de campo KBU8M-E4/51 |
Padrão da fase monofásica de retificador de ponte 1 quilovolt através do furo KBU
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VISHAY
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL do transistor de efeito de campo de IRL2203NPBF |
N-canal 30 V 116A (Tc) 180W (Tc) através do furo TO-220AB
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Infineon
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CONTRA - 40 o ESTOQUE NOVO E ORIGINAL do transistor de efeito de campo de TPS 12 A M. 3 |
SCR 1,2 quilovolt 55 uma recuperação padrão através do furo TO-247AC
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VISHAY
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL do transistor de efeito de campo KSC2073 |
Transistor (BJT) bipolar NPN 150 V 1,5 um 4MHz 25 W através do furo TO-220-3
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Semi ON / Semi Catalisador
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL do transistor de efeito de campo de IRLL110TRPBF |
N-canal 100 V 1.5A (Tc) 2W (Ta), (Tc) montagem SOT-223 da superfície 3.1W
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VISHAY
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL do transistor de efeito de campo de IRF7309TRPBF |
Disposição 30V 4A do Mosfet, montagem de superfície 8-SO de 3A 1.4W
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Infineon
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL do transistor de efeito de campo de IRF7205TRPBF |
Montagem 8-SO da superfície 2.5W do P-canal 30 V 4.6A (Ta) (Tc)
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Infineon
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL do transistor de efeito de campo de IRF7493TRPBF |
Montagem 8-SO da superfície 2.5W do N-canal 80 V 9.3A (Tc) (Tc)
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Infineon
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL do transistor de efeito de campo de IRF7424TRPBF |
Montagem 8-SO da superfície 2.5W do P-canal 30 V 11A (Ta) (Ta)
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Infineon
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL do transistor de efeito de campo de IRF7416TRPBF |
Montagem 8-SO da superfície 2.5W do P-canal 30 V 10A (Ta) (Ta)
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Infineon
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL do transistor de efeito de campo de IRF7504TRPBF |
Montagem de superfície Micro8™ da disposição 20V 1.7A 1.25W do Mosfet
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Infineon
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL do transistor de efeito de campo de IRF7317TRPBF |
Disposição 20V 6.6A do Mosfet, montagem de superfície 8-SO de 5.3A 2W
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Infineon
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE VS-40CPQ100-N3 |
Matriz de diodos 1 par cátodo comum 100 V 40A através do orifício TO-247-3
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VISHAY
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE VS-40CPQ060PBF |
Matriz de diodos 1 par cátodo comum 60 V 20A através do orifício TO-247-3
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VISHAY
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE VS-40CPQ100PBF |
Matriz de diodos 1 par cátodo comum 100 V 20A através do orifício TO-247-3
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VISHAY
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IRLR3410TRPBF |
Canal N 100 V 17A (Tc) 79W (Tc) Montagem em superfície D-Pak
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Infineon
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IRLR8729TRPBF |
Montagem D-Pak da superfície 55W do N-canal 30 V 58A (Tc) (Tc)
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Infineon
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IRLR7843TRPBF |
Montagem D-Pak da superfície 140W do N-canal 30 V 161A (Tc) (Tc)
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Infineon
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IRLR2905TRPBF |
Montagem D-Pak da superfície 110W do N-canal 55 V 42A (Tc) (Tc)
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Infineon
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IRLR8743TRPBF |
Canal N 30 V 160A (Tc) 135W (Tc) Montagem em superfície D-Pak
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Infineon
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IRLR9343TRPBF |
Montagem PG-TO252-3 da superfície 79W do P-canal 55 V 20A (Tc) (Tc)
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Infineon
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IRLR3114ZTRPBF |
Canal N 40 V 42A (Tc) 140 W (Tc) Montagem em superfície D-Pak
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Infineon
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IRLR8726TRPBF |
Montagem D-Pak da superfície 75W do N-canal 30 V 86A (Tc) (Tc)
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Infineon
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IRLR3636TRPBF |
Montagem D-Pak da superfície 143W do N-canal 60 V 50A (Tc) (Tc)
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Infineon
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IRLR2905ZTRPBF NOVO E ORIGINAL |
Montagem D-Pak da superfície 110W do N-canal 55 V 42A (Tc) (Tc)
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Infineon
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Transistor de Efeito de Campo BAV21 NOVO E ORIGINAL |
Diodo 250 V 250mA Através do Orifício DO-35
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Fairchild
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BAV23CLT1G Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Matriz de diodo 1 par cátodo comum 250 V 400mA montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Semi ON / Semi Catalisador
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BAV23A,215 Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Conjunto de diodos 1 par de ânodo comum 200 V 225 mA (DC) Montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SO
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Nexperia
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BAV23A-7-F Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Conjunto de diodos 1 par de ânodo comum 200 V 400 mA (DC) Montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SO
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DIODOS
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BAV23S Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Disposição do diodo montagem de superfície TO-236-3 da conexão de série 250 V de 1 par 225mA, SC-59,
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Semicondutor Good-Ark
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BAV70 Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Disposição do diodo montagem de superfície TO-236-3 do cátodo 75 V 215mA da terra comum de 1 par, SC
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Fairchild
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BAV70 Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Matriz de diodos 1 par de cátodo comum 100 V 215mA (DC) Montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SOT-
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Fabricante
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BAV70 Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Matriz de diodo 1 par cátodo comum 70 V 200mA montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Semicondutor Good-Ark
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BAV70 Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Matriz de diodo 1 par cátodo comum 70 V 200mA montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Infineon
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BAV70S,135 Transistor de Efeito de Campo NOVO E ORIGINAL |
Matriz de diodos 2 pares de cátodo comum 100 V 250 mA (DC) Montagem em superfície 6-TSSOP, SC-88, SO
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Nexperia
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