| Imagem | parte # | Descrição | fabricante | Conservado em estoque | RFQ |
|
|
Alta tensão Octal de ULN2803AFWG, transistor atual alto de DarliCM GROUPon Transistor Arrays Power Mosfet
|
Montagem de superfície bipolar 18-SOP da disposição 8 NPN DarliCM GROUPon 50V 500mA 1.31W do transis
|
Fabricante
|
|
|
|
|
Acoplador ótico Multichannel do transistor do Mosfet do poder do mosfet da baixa potência de CNY74-4H com saída do fototransistor
|
Optoisolador Transistor Saída 5300Vrms 4 Canais 16-DIP
|
Fabricante
|
|
|
|
|
ZXMN10A09KTC REALCE de alta tensão de comutação do N-CANAL 100V do mosfet da baixa potência do mosfet do poder do transistor do Mosfet do poder
|
Montagem TO-252-3 da superfície 2.15W do N-canal 100 V 5A (Ta) (Ta)
|
Fabricante
|
|
|
|
|
O módulo do mosfet do poder MRF9030GNR1 põe TRANSISTOR de EFEITO de CAMPO do PODER do RF do transistor do Mosfet
|
GAIVOTA do Mosfet TO-270-2 do RF
|
Fabricante
|
|
|
|
|
S9012 TO-92 Plástico-encapsulam o mosfet de alta tensão do poder do mosfet da baixa potência dos transistor
|
Transistor (BJT) bipolar PNP 25 V 500 miliampère 150MHz montagem de superfície SOT-23 de 300 mW
|
Fabricante
|
|
|
|
|
N-CANAL 60V de STN3NF06L - 0.07ohm - transistor do Mosfet do poder⑩ do MOSFET do PODER de 4A SOT-223 STripFET II
|
Montagem SOT-223 da superfície 3.3W do N-canal 60 V 4A (Tc) (Tc)
|
Fabricante
|
|
|
|
|
TRANSISTOR do transistor do Mosfet do poder do módulo do mosfet do poder STD4NK60ZT4 | MOSFET | N-CANAL | TO-252AA
|
Montagem DPAK da superfície 70W do N-canal 600 V 4A (Tc) (Tc)
|
Fabricante
|
|
|
|
|
SI4436DY-T1-E3 mosfet de comutação da baixa potência do mosfet do poder do MOSFET do N-canal 60-V (D-S)
|
N-canal 60 V 8A (Tc) 2.5W (Ta), (Tc) montagem 8-SOIC da superfície 5W
|
Fabricante
|
|
|
|
|
Fornecedor dourado de China IC da eletrônica de IC da microplaqueta do circuito integrado do transistor de ISL9V3040D3S
|
Montagem de superfície TO-252AA de IGBT 430 V 21 A 150 W
|
Fabricante
|
|
|
|
|
Fabricantes de microplaqueta TRANSIENTES dos componentes CI do PORTA USB SUPPERSSORS CI de SN75240PWR
|
|
Fabricante
|
|
|
|
|
TIP127 mosfet duplo do poder do mosfet do poder de alta tensão do silicone PNP DarliCM GROUPon Power Transistors
|
Transistor (BJT) bipolar PNP - DarliCM GROUPon 100 V 5 A 2 W através do furo TO-220
|
Fabricante
|
|
|
|
|
SI7336ADP-T1-E3 mosfet de alta tensão do poder do mosfet da baixa potência do MOSFET do N-canal 30-V (D-S)
|
N-Channel 30 V 30A (Ta) 5.4W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
|
Fabricante
|
|
|
|
|
Do poder microeletrónico de IC do poder de PVT312L transistor fotovoltaico do Mosfet do poder do relé do MOSFET
|
SPST-NO de circuito integrado (1 formulário A) 6-DIP (0,300", 7.62mm)
|
Fabricante
|
|
|
|
|
TRANSISTOR BIPOLAR de uso geral dos TRANSISTOR do transistor SOT-23 do Mosfet do poder do transistor do npn BC817-25 (NPN)
|
Transistor (BJT) bipolar NPN 45 V 500 miliampère 100MHz montagem de superfície SOT-323 de 300 mW
|
Fabricante
|
|
|
|
|
Silicone plástico PNP DarliCM GROUPons de Medium−Power do transistor do Mosfet do poder do transistor de poder do darliCM GROUPon do npn de BD682G
|
Transistor (BJT) bipolar PNP - DarliCM GROUPon 100 V 4 A 40 W através do furo TO-126
|
Fabricante
|
|
|
|
|
NTR1P02LT1G põem MOSFET -20 V, -1,3 A, mosfet de alta tensão do poder do pacote do P-canal SOT-23
|
|
Fabricante
|
|
|
|
|
Transistor de uso geral do transistor NPN do Mosfet do poder do transistor de poder do darliCM GROUPon do npn de BC548B
|
Transistor (BJT) bipolar NPN 30 V 100 miliampère 500 mW através do furo TO-92
|
Fabricante
|
|
|
|
|
Transistor complementares do MOS do modo do realce PHC21025 que comutam o mosfet do poder
|
Mosfet Array
|
Fabricante
|
|
|
|
|
Mosfet de comutação do poder do baixo VCEsat transistor de PBSS4320T 20 V NPN
|
Transistor (BJT) bipolar NPN 20 V 2 um 100MHz montagem de superfície TO-236AB de 540 mW
|
Fabricante
|
|
|
|
|
PBSS5320T, 215 20 V, 3 um mosfet audio do poder do baixo VCEsat (BISS) transistor de PNP
|
Transistor (BJT) bipolar PNP 20 V 2 um 100MHz montagem de superfície TO-236AB de 540 mW
|
Fabricante
|
|
|
|
|
Semicondutor integrado eletrônico da placa de microplaqueta do SENSOR RESISTIVE do MAGNETO de 2SS52M
|
Coletor aberto TO-92-3 Magnetoresistive do interruptor de Omnipolar do interruptor de Digitas
|
Fabricante
|
|
|
|
|
N - Canal 600 V 2,0? Transistor NDD04N60ZT4G do Mosfet do poder superior do rf do ohm
|
Montagem DPAK da superfície 83W do N-canal 600 V 4.1A (Tc) (Tc)
|
Fabricante
|
|
|
|
|
Transistor planar complementar do silicone NPN RF dos circuitos integrados da eletrônica de BFQ67W SOT-23
|
Montagem de superfície SC-70 do transistor NPN 10V 50mA 8GHz 300mW do RF
|
Fabricante
|
|
|
|
|
Tempo contínuo Hall Effect Sensors linear Ratiometric do transistor do Mosfet do poder de A1302KUA
|
Hall Effect Sensor Single Axis 3-SIP
|
Fabricante
|
|
|
|
|
Transistor de alta tensão do mosfet do poder de MMBTA43LT1G, transistor do mosfet do poder do rf
|
Transistor (BJT) bipolar NPN 200 V 50 miliampère 50MHz montagem de superfície SOT-23-3 de 225 mW (TO
|
Fabricante
|
|
|
|
|
Transistor de comutação do mosfet do poder superior de MMBT4403LT1G, transistor de poder do silicone de PNP
|
Transistor (BJT) bipolar PNP 40 V 600 miliampère 200MHz montagem de superfície SOT-23-3 de 300 mW (T
|
Fabricante
|
|
|
|
|
Poder superior de comutação do transistor do Mosfet do poder de MMBT4401LT1G paládio de 225 mW
|
Transistor (BJT) bipolar NPN 40 V 600 miliampère 250MHz montagem de superfície SOT-23-3 de 300 mW (T
|
Fabricante
|
|
|
|
|
Transistor de poder complementares do mosfet do poder duplo de alta tensão de MJD42CG
|
Transistor (BJT) bipolar PNP 100 V 6 uma montagem 1,75 de superfície de 3MHz W DPAK
|
Fabricante
|
|
|
|
|
Mosfet complementar duplo de alta tensão do poder de MJD41CT4G para o amplificador de uso geral
|
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 6 A 3MHz 1.75 W Surface Mount DPAK
|
Fabricante
|
|
|
|
|
Mosfet de comutação da baixa potência do mosfet do poder do transistor de efeito de campo do modo do realce do P-canal AO4449
|
Montagem 8-SOIC da superfície 3.1W do P-canal 30 V 7A (Ta) (Ta)
|
Fabricante
|
|
|
|
|
Eletrônica de IC da microplaqueta do circuito integrado do transistor do Mosfet do poder de IRLR2905TRPBF TO-252
|
Montagem D-Pak da superfície 110W do N-canal 55 V 42A (Tc) (Tc)
|
Fabricante
|
|
|
|
|
Transistor do mosfet do poder superior de MJD112T4G, DarliCM GROUPon Power Transistors complementar
|
Transistor (BJT) bipolar NPN - DarliCM GROUPon 100 V 2 uma montagem de superfície DPAK de 25MHz 20 W
|
Fabricante
|
|
|
|
|
Transistor do Mosfet do poder MMBF170, N - transistor de efeito de campo do modo do realce do canal
|
Montagem SOT-23-3 da superfície 300mW do N-canal 60 V 500mA (Ta) (Ta)
|
Fabricante
|
|
|
|
|
Tiristores de alta tensão do mosfet do poder do mosfet da baixa potência dos retificadores controlados de silicone MCR100-6
|
SCR 0.8A 400V TO92 do TIRISTOR
|
Fabricante
|
|
|
|
|
Os TRIAC MAC97A6 põem o AMPÈRE RMS do transistor 0,8 do Mosfet 200 - 600 VOLTS
|
Lógica do TRIAC - porta sensível 400 V 600 miliampères através do furo TO-92 (TO-226)
|
Fabricante
|
|
|
|
|
Semicondutor integrado do TRANSISTOR dos TRANSISTOR de BC807-40 SOT-23 (PNP) PNP amplificador de uso geral BIPOLAR
|
Transistor (BJT) bipolar PNP 45 V 500 miliampère 100MHz montagem de superfície SOT-23 de 300 mW
|
Fabricante
|
|
|
|
|
TRIAC sensíveis de Alternistor do transistor do Mosfet do poder da porta dos TRIAC do mosfet CI do poder Q6012LH5
|
TRIAC Alternistor - Snubberless 600 V 12 A através do furo TO-220 isolou a aba
|
Fabricante
|
|
|
|
|
BFG541 NPN transistor wideband do mosfet do poder do rf dos transistor do mosfet do poder superior do transistor de 9 gigahertz
|
Montagem de superfície SC-73 do transistor NPN 15V 120mA 9GHz 650mW do RF
|
Fabricante
|
|
|
|
|
MOSFET de PowerTrench do P-canal do transistor 30V do Mosfet do poder do mosfet do poder da trincheira de SI4435DY
|
Montagem 8-SOIC da superfície 2.5W do P-canal 30 V 8.8A (Ta) (Ta)
|
Fabricante
|
|
|
|
|
BD912 TO-220 - mosfet CI do poder do módulo do mosfet do poder dos transistor e do DarliCM GROUPons de poder
|
Transistor (BJT) bipolar PNP 100 V 15 um 3MHz 90 W através do furo TO-220
|
Fabricante
|
|
|
|
|
BD136 mosfet de alta tensão do poder do mosfet da baixa potência dos transistor de poder do silicone PNP
|
Transistor (BJT) bipolar PNP 45 V 1,5 A W 1,25 através do furo SOT-32-3
|
Fabricante
|
|
|
|
|
Mosfet DE SUPERFÍCIE PEQUENO CI do poder do módulo do mosfet do poder do TRANSISTOR da MONTAGEM do SINAL SOT-23 de DDTC123ECA-7-F NPN PRE-BIASED
|
Transistor bipolar pré-polarizado (BJT) NPN - Pré-polarizado 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Montagem em
|
Fabricante
|
|
|
|
|
Transistor de uso geral do transistor PNP do Mosfet do poder BC807-25
|
Transistor (BJT) bipolar PNP 45 V 500 miliampère 100MHz montagem de superfície SOT-23 de 300 mW
|
Fabricante
|
|
|
|
|
Transistor do mosfet do poder superior do MOSFET do poder de IRLML2402TRPBF HEXFET®
|
Montagem Micro3™/SOT-23 da superfície 540mW do N-canal 20 V 1.2A (Ta) (Ta)
|
Fabricante
|
|
|
|
|
Mosfet de uso geral do mosfet do poder linear do MOSFET do poder IRFR9214
|
Montagem D-Pak da superfície 50W do P-canal 250 V 2.7A (Tc) (Tc)
|
Fabricante
|
|
|
|
|
MALHA rápida mesma IGBT do poder do transistor do Mosfet do poder STGB7NC60HDT4
|
IGBT 600 V 25 A 80 W Montagem em superfície D2PAK
|
Fabricante
|
|
|
|
|
Transistor de poder superior duplos FDS4935BZ do MOSFET da trincheira de um poder de 30 volts
|
Mosfet Array 30V 6.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC
|
Fabricante
|
|
|
|
|
60V N - mosfet de comutação FDS9945 do poder do MOSFET da trincheira do poder do canal
|
Montagem de superfície 8-SOIC da disposição 60V 3.5A 1W do Mosfet
|
Fabricante
|
|
|
|
|
Mosfet complementar do poder do transistor do Mosfet do poder de MJE15032G MJE15033G
|
Transistor (BJT) bipolar NPN 250 V 8 um 30MHz 50 W através do furo TO-220
|
Fabricante
|
|
|
|
|
A saída do fototransistor do transistor do Mosfet do poder do acoplador ótico de SFH6206-2T, C.A. entrou a placa de circuito CI
|
Canal 4-SMD da saída 5300Vrms 1 do transistor do Optoisolator
|
Fabricante
|
|
|