Enviar mensagem
Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI

microplaquetas eletrônicas do CI

Imagemparte #DescriçãofabricanteConservado em estoqueRFQ
Alta tensão Octal de ULN2803AFWG, transistor atual alto de DarliCM GROUPon Transistor Arrays Power Mosfet

Alta tensão Octal de ULN2803AFWG, transistor atual alto de DarliCM GROUPon Transistor Arrays Power Mosfet

Montagem de superfície bipolar 18-SOP da disposição 8 NPN DarliCM GROUPon 50V 500mA 1.31W do transis
Fabricante
Acoplador ótico Multichannel do transistor do Mosfet do poder do mosfet da baixa potência de CNY74-4H com saída do fototransistor

Acoplador ótico Multichannel do transistor do Mosfet do poder do mosfet da baixa potência de CNY74-4H com saída do fototransistor

Optoisolador Transistor Saída 5300Vrms 4 Canais 16-DIP
Fabricante
ZXMN10A09KTC 	REALCE de alta tensão de comutação do N-CANAL 100V do mosfet da baixa potência do mosfet do poder do transistor do Mosfet do poder

ZXMN10A09KTC REALCE de alta tensão de comutação do N-CANAL 100V do mosfet da baixa potência do mosfet do poder do transistor do Mosfet do poder

Montagem TO-252-3 da superfície 2.15W do N-canal 100 V 5A (Ta) (Ta)
Fabricante
O módulo do mosfet do poder MRF9030GNR1 põe TRANSISTOR de EFEITO de CAMPO do PODER do RF do transistor do Mosfet

O módulo do mosfet do poder MRF9030GNR1 põe TRANSISTOR de EFEITO de CAMPO do PODER do RF do transistor do Mosfet

GAIVOTA do Mosfet TO-270-2 do RF
Fabricante
S9012 TO-92 Plástico-encapsulam o mosfet de alta tensão do poder do mosfet da baixa potência dos transistor

S9012 TO-92 Plástico-encapsulam o mosfet de alta tensão do poder do mosfet da baixa potência dos transistor

Transistor (BJT) bipolar PNP 25 V 500 miliampère 150MHz montagem de superfície SOT-23 de 300 mW
Fabricante
N-CANAL 60V de STN3NF06L - 0.07ohm - transistor do Mosfet do poder⑩ do MOSFET do PODER de 4A SOT-223 STripFET II

N-CANAL 60V de STN3NF06L - 0.07ohm - transistor do Mosfet do poder⑩ do MOSFET do PODER de 4A SOT-223 STripFET II

Montagem SOT-223 da superfície 3.3W do N-canal 60 V 4A (Tc) (Tc)
Fabricante
TRANSISTOR do transistor do Mosfet do poder do módulo do mosfet do poder STD4NK60ZT4 | MOSFET | N-CANAL | TO-252AA

TRANSISTOR do transistor do Mosfet do poder do módulo do mosfet do poder STD4NK60ZT4 | MOSFET | N-CANAL | TO-252AA

Montagem DPAK da superfície 70W do N-canal 600 V 4A (Tc) (Tc)
Fabricante
SI4436DY-T1-E3 mosfet de comutação da baixa potência do mosfet do poder do MOSFET do N-canal 60-V (D-S)

SI4436DY-T1-E3 mosfet de comutação da baixa potência do mosfet do poder do MOSFET do N-canal 60-V (D-S)

N-canal 60 V 8A (Tc) 2.5W (Ta), (Tc) montagem 8-SOIC da superfície 5W
Fabricante
Fornecedor dourado de China IC da eletrônica de IC da microplaqueta do circuito integrado do transistor de ISL9V3040D3S

Fornecedor dourado de China IC da eletrônica de IC da microplaqueta do circuito integrado do transistor de ISL9V3040D3S

Montagem de superfície TO-252AA de IGBT 430 V 21 A 150 W
Fabricante
Fabricantes de microplaqueta TRANSIENTES dos componentes CI do PORTA USB SUPPERSSORS CI de SN75240PWR

Fabricantes de microplaqueta TRANSIENTES dos componentes CI do PORTA USB SUPPERSSORS CI de SN75240PWR

Fabricante
TIP127 mosfet duplo do poder do mosfet do poder de alta tensão do silicone PNP DarliCM GROUPon Power Transistors

TIP127 mosfet duplo do poder do mosfet do poder de alta tensão do silicone PNP DarliCM GROUPon Power Transistors

Transistor (BJT) bipolar PNP - DarliCM GROUPon 100 V 5 A 2 W através do furo TO-220
Fabricante
SI7336ADP-T1-E3 mosfet de alta tensão do poder do mosfet da baixa potência do MOSFET do N-canal 30-V (D-S)

SI7336ADP-T1-E3 mosfet de alta tensão do poder do mosfet da baixa potência do MOSFET do N-canal 30-V (D-S)

N-Channel 30 V 30A (Ta) 5.4W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Fabricante
Do poder microeletrónico de IC do poder de PVT312L transistor fotovoltaico do Mosfet do poder do relé do MOSFET

Do poder microeletrónico de IC do poder de PVT312L transistor fotovoltaico do Mosfet do poder do relé do MOSFET

SPST-NO de circuito integrado (1 formulário A) 6-DIP (0,300", 7.62mm)
Fabricante
TRANSISTOR BIPOLAR de uso geral dos TRANSISTOR do transistor SOT-23 do Mosfet do poder do transistor do npn BC817-25 (NPN)

TRANSISTOR BIPOLAR de uso geral dos TRANSISTOR do transistor SOT-23 do Mosfet do poder do transistor do npn BC817-25 (NPN)

Transistor (BJT) bipolar NPN 45 V 500 miliampère 100MHz montagem de superfície SOT-323 de 300 mW
Fabricante
Silicone plástico PNP DarliCM GROUPons de Medium−Power do transistor do Mosfet do poder do transistor de poder do darliCM GROUPon do npn de BD682G

Silicone plástico PNP DarliCM GROUPons de Medium−Power do transistor do Mosfet do poder do transistor de poder do darliCM GROUPon do npn de BD682G

Transistor (BJT) bipolar PNP - DarliCM GROUPon 100 V 4 A 40 W através do furo TO-126
Fabricante
NTR1P02LT1G põem MOSFET -20 V, -1,3 A, mosfet de alta tensão do poder do pacote do P-canal SOT-23

NTR1P02LT1G põem MOSFET -20 V, -1,3 A, mosfet de alta tensão do poder do pacote do P-canal SOT-23

Fabricante
Transistor de uso geral do transistor NPN do Mosfet do poder do transistor de poder do darliCM GROUPon do npn de BC548B

Transistor de uso geral do transistor NPN do Mosfet do poder do transistor de poder do darliCM GROUPon do npn de BC548B

Transistor (BJT) bipolar NPN 30 V 100 miliampère 500 mW através do furo TO-92
Fabricante
Transistor complementares do MOS do modo do realce PHC21025 que comutam o mosfet do poder

Transistor complementares do MOS do modo do realce PHC21025 que comutam o mosfet do poder

Mosfet Array
Fabricante
Mosfet de comutação do poder do baixo VCEsat transistor de PBSS4320T 20 V NPN

Mosfet de comutação do poder do baixo VCEsat transistor de PBSS4320T 20 V NPN

Transistor (BJT) bipolar NPN 20 V 2 um 100MHz montagem de superfície TO-236AB de 540 mW
Fabricante
PBSS5320T, 215 20 V, 3 um mosfet audio do poder do baixo VCEsat (BISS) transistor de PNP

PBSS5320T, 215 20 V, 3 um mosfet audio do poder do baixo VCEsat (BISS) transistor de PNP

Transistor (BJT) bipolar PNP 20 V 2 um 100MHz montagem de superfície TO-236AB de 540 mW
Fabricante
Semicondutor integrado eletrônico da placa de microplaqueta do SENSOR RESISTIVE do MAGNETO de 2SS52M

Semicondutor integrado eletrônico da placa de microplaqueta do SENSOR RESISTIVE do MAGNETO de 2SS52M

Coletor aberto TO-92-3 Magnetoresistive do interruptor de Omnipolar do interruptor de Digitas
Fabricante
N - Canal 600 V 2,0? Transistor NDD04N60ZT4G do Mosfet do poder superior do rf do ohm

N - Canal 600 V 2,0? Transistor NDD04N60ZT4G do Mosfet do poder superior do rf do ohm

Montagem DPAK da superfície 83W do N-canal 600 V 4.1A (Tc) (Tc)
Fabricante
Transistor planar complementar do silicone NPN RF dos circuitos integrados da eletrônica de BFQ67W SOT-23

Transistor planar complementar do silicone NPN RF dos circuitos integrados da eletrônica de BFQ67W SOT-23

Montagem de superfície SC-70 do transistor NPN 10V 50mA 8GHz 300mW do RF
Fabricante
Tempo contínuo Hall Effect Sensors linear Ratiometric do transistor do Mosfet do poder de A1302KUA

Tempo contínuo Hall Effect Sensors linear Ratiometric do transistor do Mosfet do poder de A1302KUA

Hall Effect Sensor Single Axis 3-SIP
Fabricante
Transistor de alta tensão do mosfet do poder de MMBTA43LT1G, transistor do mosfet do poder do rf

Transistor de alta tensão do mosfet do poder de MMBTA43LT1G, transistor do mosfet do poder do rf

Transistor (BJT) bipolar NPN 200 V 50 miliampère 50MHz montagem de superfície SOT-23-3 de 225 mW (TO
Fabricante
Transistor de comutação do mosfet do poder superior de MMBT4403LT1G, transistor de poder do silicone de PNP

Transistor de comutação do mosfet do poder superior de MMBT4403LT1G, transistor de poder do silicone de PNP

Transistor (BJT) bipolar PNP 40 V 600 miliampère 200MHz montagem de superfície SOT-23-3 de 300 mW (T
Fabricante
Poder superior de comutação do transistor do Mosfet do poder de MMBT4401LT1G paládio de 225 mW

Poder superior de comutação do transistor do Mosfet do poder de MMBT4401LT1G paládio de 225 mW

Transistor (BJT) bipolar NPN 40 V 600 miliampère 250MHz montagem de superfície SOT-23-3 de 300 mW (T
Fabricante
Transistor de poder complementares do mosfet do poder duplo de alta tensão de MJD42CG

Transistor de poder complementares do mosfet do poder duplo de alta tensão de MJD42CG

Transistor (BJT) bipolar PNP 100 V 6 uma montagem 1,75 de superfície de 3MHz W DPAK
Fabricante
Mosfet complementar duplo de alta tensão do poder de MJD41CT4G para o amplificador de uso geral

Mosfet complementar duplo de alta tensão do poder de MJD41CT4G para o amplificador de uso geral

Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 6 A 3MHz 1.75 W Surface Mount DPAK
Fabricante
Mosfet de comutação da baixa potência do mosfet do poder do transistor de efeito de campo do modo do realce do P-canal AO4449

Mosfet de comutação da baixa potência do mosfet do poder do transistor de efeito de campo do modo do realce do P-canal AO4449

Montagem 8-SOIC da superfície 3.1W do P-canal 30 V 7A (Ta) (Ta)
Fabricante
Eletrônica de IC da microplaqueta do circuito integrado do transistor do Mosfet do poder de IRLR2905TRPBF TO-252

Eletrônica de IC da microplaqueta do circuito integrado do transistor do Mosfet do poder de IRLR2905TRPBF TO-252

Montagem D-Pak da superfície 110W do N-canal 55 V 42A (Tc) (Tc)
Fabricante
Transistor do mosfet do poder superior de MJD112T4G, DarliCM GROUPon Power Transistors complementar

Transistor do mosfet do poder superior de MJD112T4G, DarliCM GROUPon Power Transistors complementar

Transistor (BJT) bipolar NPN - DarliCM GROUPon 100 V 2 uma montagem de superfície DPAK de 25MHz 20 W
Fabricante
Transistor do Mosfet do poder MMBF170, N - transistor de efeito de campo do modo do realce do canal

Transistor do Mosfet do poder MMBF170, N - transistor de efeito de campo do modo do realce do canal

Montagem SOT-23-3 da superfície 300mW do N-canal 60 V 500mA (Ta) (Ta)
Fabricante
Tiristores de alta tensão do mosfet do poder do mosfet da baixa potência dos retificadores controlados de silicone MCR100-6

Tiristores de alta tensão do mosfet do poder do mosfet da baixa potência dos retificadores controlados de silicone MCR100-6

SCR 0.8A 400V TO92 do TIRISTOR
Fabricante
Os TRIAC MAC97A6 põem o AMPÈRE RMS do transistor 0,8 do Mosfet 200 - 600 VOLTS

Os TRIAC MAC97A6 põem o AMPÈRE RMS do transistor 0,8 do Mosfet 200 - 600 VOLTS

Lógica do TRIAC - porta sensível 400 V 600 miliampères através do furo TO-92 (TO-226)
Fabricante
Semicondutor integrado do TRANSISTOR dos TRANSISTOR de BC807-40 SOT-23 (PNP) PNP amplificador de uso geral BIPOLAR

Semicondutor integrado do TRANSISTOR dos TRANSISTOR de BC807-40 SOT-23 (PNP) PNP amplificador de uso geral BIPOLAR

Transistor (BJT) bipolar PNP 45 V 500 miliampère 100MHz montagem de superfície SOT-23 de 300 mW
Fabricante
TRIAC sensíveis de Alternistor do transistor do Mosfet do poder da porta dos TRIAC do mosfet CI do poder Q6012LH5

TRIAC sensíveis de Alternistor do transistor do Mosfet do poder da porta dos TRIAC do mosfet CI do poder Q6012LH5

TRIAC Alternistor - Snubberless 600 V 12 A através do furo TO-220 isolou a aba
Fabricante
BFG541 NPN transistor wideband do mosfet do poder do rf dos transistor do mosfet do poder superior do transistor de 9 gigahertz

BFG541 NPN transistor wideband do mosfet do poder do rf dos transistor do mosfet do poder superior do transistor de 9 gigahertz

Montagem de superfície SC-73 do transistor NPN 15V 120mA 9GHz 650mW do RF
Fabricante
MOSFET de PowerTrench do P-canal do transistor 30V do Mosfet do poder do mosfet do poder da trincheira de SI4435DY

MOSFET de PowerTrench do P-canal do transistor 30V do Mosfet do poder do mosfet do poder da trincheira de SI4435DY

Montagem 8-SOIC da superfície 2.5W do P-canal 30 V 8.8A (Ta) (Ta)
Fabricante
BD912 TO-220 - mosfet CI do poder do módulo do mosfet do poder dos transistor e do DarliCM GROUPons de poder

BD912 TO-220 - mosfet CI do poder do módulo do mosfet do poder dos transistor e do DarliCM GROUPons de poder

Transistor (BJT) bipolar PNP 100 V 15 um 3MHz 90 W através do furo TO-220
Fabricante
BD136 mosfet de alta tensão do poder do mosfet da baixa potência dos transistor de poder do silicone PNP

BD136 mosfet de alta tensão do poder do mosfet da baixa potência dos transistor de poder do silicone PNP

Transistor (BJT) bipolar PNP 45 V 1,5 A W 1,25 através do furo SOT-32-3
Fabricante
Mosfet DE SUPERFÍCIE PEQUENO CI do poder do módulo do mosfet do poder do TRANSISTOR da MONTAGEM do SINAL SOT-23 de DDTC123ECA-7-F NPN PRE-BIASED

Mosfet DE SUPERFÍCIE PEQUENO CI do poder do módulo do mosfet do poder do TRANSISTOR da MONTAGEM do SINAL SOT-23 de DDTC123ECA-7-F NPN PRE-BIASED

Transistor bipolar pré-polarizado (BJT) NPN - Pré-polarizado 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Montagem em
Fabricante
Transistor de uso geral do transistor PNP do Mosfet do poder BC807-25

Transistor de uso geral do transistor PNP do Mosfet do poder BC807-25

Transistor (BJT) bipolar PNP 45 V 500 miliampère 100MHz montagem de superfície SOT-23 de 300 mW
Fabricante
Transistor do mosfet do poder superior do MOSFET do poder de IRLML2402TRPBF HEXFET®

Transistor do mosfet do poder superior do MOSFET do poder de IRLML2402TRPBF HEXFET®

Montagem Micro3™/SOT-23 da superfície 540mW do N-canal 20 V 1.2A (Ta) (Ta)
Fabricante
Mosfet de uso geral do mosfet do poder linear do MOSFET do poder IRFR9214

Mosfet de uso geral do mosfet do poder linear do MOSFET do poder IRFR9214

Montagem D-Pak da superfície 50W do P-canal 250 V 2.7A (Tc) (Tc)
Fabricante
MALHA rápida mesma IGBT do poder do transistor do Mosfet do poder STGB7NC60HDT4

MALHA rápida mesma IGBT do poder do transistor do Mosfet do poder STGB7NC60HDT4

IGBT 600 V 25 A 80 W Montagem em superfície D2PAK
Fabricante
Transistor de poder superior duplos FDS4935BZ do MOSFET da trincheira de um poder de 30 volts

Transistor de poder superior duplos FDS4935BZ do MOSFET da trincheira de um poder de 30 volts

Mosfet Array 30V 6.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Fabricante
60V N - mosfet de comutação FDS9945 do poder do MOSFET da trincheira do poder do canal

60V N - mosfet de comutação FDS9945 do poder do MOSFET da trincheira do poder do canal

Montagem de superfície 8-SOIC da disposição 60V 3.5A 1W do Mosfet
Fabricante
Mosfet complementar do poder do transistor do Mosfet do poder de MJE15032G MJE15033G

Mosfet complementar do poder do transistor do Mosfet do poder de MJE15032G MJE15033G

Transistor (BJT) bipolar NPN 250 V 8 um 30MHz 50 W através do furo TO-220
Fabricante
A saída do fototransistor do transistor do Mosfet do poder do acoplador ótico de SFH6206-2T, C.A. entrou a placa de circuito CI

A saída do fototransistor do transistor do Mosfet do poder do acoplador ótico de SFH6206-2T, C.A. entrou a placa de circuito CI

Canal 4-SMD da saída 5300Vrms 1 do transistor do Optoisolator
Fabricante
57 58 59 60 61